我国成功研制80纳米万能存储器核心器件

近日，北京航空航天大学电子信息工程学院教授赵巍胜与中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心研究员赵超联合团队成功制备国内首个80纳米自旋转移矩-磁随机存储器器件（STT-MRAM），此项技术应用后，电脑死机也会保留所有数据，手机待机时间也有望大幅提高。（北京日报）

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