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三星推12nm DRAM；紫光新设半导体公司；美光放缓存储技术升级；本月SSD新品…

百家作者：闪存市场 2022-12-23 19:01:51

【热点速读】
1、三星开发出业界首款12纳米级 DDR5 DRAM，2023年开始量产；
2、旺宏通过新台币26.48亿元支出预算，持续导入3D NAND研发设备；
3、美光明年投资减少40%，放缓DRAM与NAND Flash的技术升级；
4、小米“换帅”，Redmi品牌总经理卢伟冰接任集团总裁；
5、紫光集团于广东投资设立半导体公司；
6、又一存储企业成功上市！佰维存储申购完成；
7、台积电获汽车大单；
8、本月SSD新品。

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1、三星开发出业界首款12纳米级 DDR5 DRAM，2023年开始量产

三星近日推出采用12 nm（即1b nm）工艺技术构建的16Gb DDR5 DRAM，并完成与 AMD 兼容性的产品评估，并计划将于2023年开始量产。

三星表示这一技术飞跃是通过使用增加电池电容的新型高 κ 材料和改善关键电路特性的专有设计技术实现的。结合先进的多层极紫外 (EUV) 光刻技术，新型 DRAM 具有业界最高的芯片密度，可将晶圆生产率提高 20%。

同时，基于DDR5最新标准，三星12nm级DRAM将解锁高达7.2千兆每秒（Gbps）的速度，这意味着一秒钟内处理两部30GB的超高清（UHD）电影。与上一代三星DRAM产品相比，12nm级DRAM的功耗降低约23%。

注：美光1βnm DRAM在今年11月实现量产，并率先应用在智能手机端的LPDDR5X，小米13系列已搭载发售。SK海力士最新一代量产DRAM为1a nm，预计2023年将会实现1b nm DRAM的量产。

2、旺宏通过新台币26.48亿元支出预算，持续导入3D NAND研发设备

据台媒报道，旺宏董事会通过26.48亿元（新台币，下同）资本支出预算，用于2023年营运所需及3D NAND Flash研发，预计从2023年第1季起陆续投资。

因应市场需求减缓，旺宏2022年第4季产能利用率调降20~25%，2022年资本支出也由此前计划的140亿元下修至106亿元；研发设备将持续导入，生产设备则延缓，5B厂产能可能延至2023年下半年开出。

旺宏近年来持续拉升高阶和车用产品的比重，看好2023年车用营收将会继续成长，且每辆豪华车款都会使用旺宏的芯片，届时旺宏将跃居车用NOR Flash龙头。

3D NAND进展部分，旺宏指出，48层的3D NAND产品已经出货给客户，希望2022年底96层产品能够送样客户认证，2023年底完成192层产品开发。

3、美光明年投资减少40%，放缓DRAM与NAND Flash的技术升级

美光最新财季收入下滑47%，同时陷入亏损，并直言目前为过去13年中供需不平衡最严重的阶段。

为应对低迷的下行周期，美光表示2023年资本开支将减少到70-75亿美元，其原计划是120亿美元，投资额度大幅减少近40%，其中设备投资同比减少50%。同时还将2024年的资本支出较之前预期的减少，预期设备投资部分减少至与2023年持平的水平。

此外，美光还将放缓技术升级，其中1β nm DRAM的量产速度将放缓，1γnm DRAM的推出将延迟至2025年，其原计划是2024年推出。而232L以上NAND Flash也将推迟。

4、小米“换帅”，Redmi品牌总经理卢伟冰接任集团总裁

12月22日，小米集团发布内部信称，小米总裁王翔将在月底退休，同时，继续作为高级顾问为公司服务，集团对王翔在过去七年的工作表达了敬意和感谢。

未来，小米集团总裁一职将由2019年加入集团的卢伟冰接任，联合创始人洪锋和王川也将于今年年底退出业务一线，今后他们会以联合创始人的身份在合伙人委员会继续支持和推动公司的战略发展。

公开资料显示，王翔在半导体与通信行业拥有超过二十年的经验，此前曾在高通工作13年，担任美国高通高级副总裁兼大中华区总裁一职，负责高通在大中华区的业务与运营。2015年6月，王翔加入小米集团，担任高级副总裁；2019年晋升总裁；2020年8月，王翔成为小米合伙人。

公开资料显示，卢伟冰曾任金立集团总裁，主要负责金立研发、生产、品牌营销、全球市场、电商、运营商等部门。卢伟冰于2019年加入小米集团，现任小米合伙人、高级副总裁、中国区总裁兼Redmi品牌总经理，主要负责中国区及国际部的销售管理工作。自卢伟冰加入后，小米开始采用双品牌策略，卢伟冰负责操盘和打造Redmi品牌。

5、紫光集团于广东投资设立半导体公司

紫光集团于广东投资设立半导体公司。企查查APP显示，近日，广东紫粤半导体有限公司成立，法定代表人为王和生，注册资本1亿元人民币，经营范围包含：集成电路芯片设计及服务；集成电路芯片及产品制造等。企查查股权穿透显示，该公司由紫光集团有限公司、广州湾区半导体产业集团有限公司分别持股80%、20%。

6、又一存储企业成功上市！佰维存储(688525.SH)申购完成

12月21日，佰维存储(688525.SH)开启申购，发行价格13.99元/股，申购上限为0.7万股，市盈率51.64倍，属于上交所科创板。

昨日，佰维存储披露首次公开发行股票并在科创板上市网下初步配售结果及网上中签结果，中信证券投资获配215.1645万股，网上摇号中签号共21947个。

7、台积电获汽车大单

台媒报道，台积电在亚利桑那州的新美国工厂已经获得了特斯拉的4纳米芯片订单，预计将在2024年启动批量生产。今年11月，有消息称特斯拉在台积电下了一笔巨额4纳米芯片订单，计划在未来用于特斯拉汽车的自动驾驶系统。

半导体业内人士表示，目前，各国际车厂改变了传统供应链模式，选择直接对接晶圆代工厂。从订单状况来看，台积电横扫7nm以下车用订单，包括特斯拉、大众、通用、丰田等车企客户。此外，在台积电计划于2024年量产的美国新厂中，特斯拉将成为前三大客户。

8、本月SSD新品

（1）美光推出2550 系列PCIe 4.0 SSD，采用美光最新 232 层 NAND，顺序读写可达5GB/s、4GB/s。基于群联E21主控方案的美光2550是4通道DRAM-less SSD，其性能表现上甚至优于8通道DRAM-base SSD，获得TweakTown满分推荐。

（2）七彩虹旗下“国创・战戟”系列推出至第三代旗舰款 PCIe 4.0 SSD，搭载长江存储最新一代3D NAND与联芸1602主控，读速最高达7000MB/s以上，性能比肩主流旗舰PCIe 4.0 SSD。

（3）宏碁掠夺者推出旗下第二款 PCIe4.0 SSD 产品GM7，采用联芸1602和优质闪存颗粒打造，主控和闪存 IO 接口速度均高达 2400MT / s，相较上一代主控、闪存大幅提升，顺序读写速度分别高达 7200MB/s、6300MB/s。