台积电将于2024年取得ASML High-NA EUV光刻机,2025年量产2nm
9月12日消息,据台湾媒体报道,目前台积电先进制程进展顺利,3nm制程将于今年下半年量产,升级版3nm(N3E)制程将于2023年量产,2nm制程将会在预定的2025年量产。
目前,台积电2nm晶圆厂将座落于竹科宝山二期扩建计画用地中,竹科管理局已展开公共设施建设,目前台积电也已经开始整地作业。
资料显示,台积电2nm制程将采用GAAFET架构,相比台积电3nm,在相同功耗下速度快10%至15%,在相同速度下功耗降低25%至30%,应用包含移动计算、高性能计算及完备的小芯片整合解决方案。
台积电研究发展资深副总经理米玉杰表示,将在2024年取得ASML下世代极紫外光刻设备(High-NA EUV),为客户发展相关的基础设施与架构解决方案。台积电业务开发资深副总经理张晓强则表示,2024年取得设备后,初期主要用于与合作伙伴共同研究,尚不会量产。具体的量产将会是在2025年。
编辑:芯智讯-林子
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