“芯片法案”通过后，美光承诺在美国扩产

8月1日消息，近日美国国会正式通过了配套有527亿美元补贴的“芯片法案”。对此，美国存储芯片制造商美光也希望能够从中分到一杯羹，于是在当地时间上周五宣布，在未来几年内提高其在美国的存储芯片产能。

在一份简短的声明中，美光赞扬了美国拜登总统及其政府推动通过“芯片法案”，并表示，“今天，全球内存供应中只有 2% 是在美国制造的，而所有这些都是由美光生产的。”美光旨在改变这种状况，承诺“在未来几年显着增加美国国内的存储芯片生产”。

美光是少数几家在国内运营代工厂的美国芯片制造商之一。该公司是 DRAM 和 NAND 闪存模块的领先制造商，直到最近还是英特尔在其 Optane SSD 和持久性内存模块中使用的 3D XPoint 内存的唯一供应商。Gelsinger本周取消了这个项目。

“今天，全球内存供应中只有 2% 是在美国制造的，而所有这些都是由美光生产的。”美光在声明中写道，“我们期待在未来几周内分享有关我们计划的更多细节。”

值得一提的是，美光CEO Sanjay Mehrotra 在去年 10 月的一份声明中曾表示：“美光在 DRAM 和 NAND 技术方面的领先地位以及我们路线图的实力，使我们有信心投资超过 1500 亿美元，将我们行业领先的存储创新扩展到下一个十年。”

今年5月，美光发布了业界首个 232 层堆栈的3D NAND芯片。7月底，美光宣布其232层堆栈的TLC闪存正式量产。这是全球首个量产的超过200层的闪存，也是业界密度最高的，接口速度提升到2.4GB/s，写入速度提升100%。

编辑：芯智讯-林子

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