长鑫存储15项发明专利曝光

7月4日消息，据天眼查资料显示，近日，国产内存芯片厂商——长鑫存储技术有限公司公开了名为“磁性存储器及其读写方法”、“存储节点接触结构的形成方法及半导体结构”、“半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器”等15项发明专利。

根据相关文件显示，“磁性存储器及其读写方法”发明专利提供一种磁性存储器及其读写方法，磁性存储器包括至少一单元层，所述单元层包括：若干条平行的第一导线，位于第一平面内；若干条平行的第二导线，位于第二平面内，且所述第一平面与所述第二平面平行，所述第二导线在所述第一平面上的投影与所述第一导线交叉；若干个存储元件，设置在所述第一平面与所述第二平面之间，所述存储元件包括沿垂直所述第一平面方向串联设置的磁隧道结及双向选通器件，所述磁隧道结与所述第一导线连接，所述双向选通器件与所述第二导线连接，所述双向选通器件被配置为在被施加阈值电压和/或电流时导通。本发明磁性存储器改变了传统的磁性存储器设计，大大提高了磁场存储器的存储密度。

“半导体结构及其形成方法”专利则涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包括：衬底；第一晶体管，包括位于所述衬底内的第一沟道、以及位于所述衬底表面的第一端，所述第一端用于与第一类型存储单元连接；第二晶体管，包括位于所述衬底内的第二沟道、以及位于所述衬底表面的第二端，所述第二端用于与第二类型存储单元连接，所述第二沟道的宽度大于所述第一沟道的宽度。本发明能够将所述第一晶体管的制造工艺与所述第二晶体管的制造工艺兼容，简化了半导体结构的制造方法。并且，有助于提高存储器中具有所述第一晶体管和/或所述第二晶体管的存储单元的集成密度，并缩小存储单元的尺寸，为扩展存储器的应用领域奠定了基础。

“反应腔室的清洗方法及半导体工艺方法”也是本次公开的发明专利之一，据介绍，本申请实施例涉及一种反应腔室的清洗方法及半导体工艺方法。该清洗方法用于对反应腔室进行清洗，反应腔室的内壁形成有碳材料层，碳材料层的表面附着有介质材料层，所述清洗方法包括：于反应腔室内通入清洗气体，清洗气体、碳材料层及介质材料层反应形成挥发性产物，以去除介质材料层。通过在反应腔室的内壁形成有碳材料层，以及向反应腔室内通入可与碳材料层、介质材料层形成挥发性产物的清洗气体，使得吸附在碳材料层表面的介质材料层被去除掉，从而达到消除反应腔室内壁上的介质材料层掉落到反应腔室内形成颗粒沾污的目的。

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