本周存储市场跌势未改，但原厂看好行业长期发展，技术升级、扩产投资脚步不停歇！

二季度以来，消费类市场砍单、下调出货预期等消息早已屡见不鲜，其中以智能手机产业链最为严重，截至目前全球主流手机品牌厂商均下调了今年的出货预期。

PC产业链也不容乐观，宏碁董事长陈俊圣近期表示，个人计算机市场已经翻转为供大于求；天风国际证券分析师郭明錤预估，消费类笔记本电脑订单下调幅度较为明显，若商用笔记本电脑贡献力道因经济衰退减弱，今年恐难达成市场所共识的全球笔记本电脑出货量2.2亿台。

如此需求境况之下，牵动着包含LCD驱动IC、TDDI、MCU、面板显示器以及模拟IC等上游零部件早已出现价格调整。供应链消息称，即便晶圆代工环节，除台积电稳如山外，二线厂商下半年也面临稼动率松动挑战。

在物流运输方面，近期DHL预计2023年港口拥堵会有所缓解，但也不会出现疫情前运费很低的运能过剩局面。加上近期韩国货运工人罢工时间较预期长，业内对物流故障的担忧正在上升。

需求端尚未复苏，本周存储市场继续下调

作为电子产业链的重要组成部分，存储产业链也正在低迷的市场需求中煎熬，经过了近两个月的跌价行情后，存储市场仍未感受到回暖信号，清库存、促流速仍是业内主旋律。

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短期需求受阻，存储原厂看好行业长期发展，技术升级、扩产投资脚步不停歇！

尽管短期市场需求遭遇逆风，但是从消息面上，各大原厂似乎并未放慢技术迭代与扩产投资的脚步。

投资与扩产：

今年上半年，三星、美光、SK海力士相继宣布各自的投资计划，其中三星和SK海力士的投资额度相较之前均有较大提升。在扩产方面更是脚步不停，几大原厂均在推动新厂区建设。

技术迭代：

近期，各大原厂相继发布技术路线图：

美光表示将在2022年底推出1β制程DRAM产品，将可为图形、HBM3和汽车等领域提供良好的性能。美光表示将在1γ DRAM工艺中引入EUV技术；NAND Flash方面，美光后续的工艺节点依次为232层，预计将在2022年底推出，采用3D TLC架构，原始容量为1Tb。

西部数据预言3D NAND即将进入200+层堆叠，西部数据称其为BiCS+。对于BiCS7的堆叠层数，西部数据表示此前预计将达到212层。

韩媒报道，三星电子下一代3D NAND产品或将采用128层叠加96层工艺，最终获得224层3D NAND，最快或将在2022年底或2023年上半年开始量产供应市场。DRAM领域今年也将进入1β制程节点。

截至目前，SK海力士虽然尚未公布下一代技术节点，但是业内预估其NAND Flash领域也将迈入2XX层，DRAM将迈入1β制程。

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