传三星V8或采用224层堆叠，最快2023年上半量产；台积电称今年半导体市场营收将成长9%；世界先进示警Q2终端需求不及预期…

【热点速读】

1、三星V8或将采用224层堆叠技术，最快2023年上半年量产；

2、台积电：今年半导体市场（不含存储）营收将成长9%，晶圆制造市场成长约20%；

3、世界先进示警：Q2终端需求不及预期，Q3产能利用率将下降；

4、欧盟将Type-C设为手机、平板电脑等设备统一充电端口，新法将于2024年秋季生效；

5、应用材料公司将在韩国设立研发中心；

6、传三星Galaxy Z Fold4将推出1TB容量版本，售价或达1999美元；

1、三星V8或将采用224层堆叠技术，最快2023年上半年量产；

据韩媒报道，三星电子原计划在2021年底量产176层3D NAND，但由于考虑到当时的市况，最终决定延后至2022年。对于200+层3D NAND研发进展，美光和西部数据最新技术路线图显示，美光预计在2022年底开始推出232层产品，西部数据BiCS7预计将达到212层。

至于三星下一代3D NAND产品研发，报道称，三星将加快200+层3D NAND量产脚步，具体堆叠层数或将采用128层叠加96层工艺，最终获得224层3D NAND，最快2022年底或2023上半年推出，预计2023年上半年开始量产并供应市场。

近日，三星电子半导体研发中心新任主管宋在赫近日表示，三星已经掌握了200层以上第八代V-NAND技术，未来将引领1,000层堆栈NAND时代到来。同时，宋在赫强调，三星采用的3D微缩技术，能够使3D NAND整体体积减少30%以上，意味着即便是同样的176层，三星电子的第七代V-NAND也有信心相较对手更具竞争力。

2、台积电：今年半导体市场（不含存储）营收将成长9%，晶圆制造市场成长约20%

台积电总裁魏哲家在股东会上表示，今年不计存储的半导体市场营收将成长9%，晶圆制造市场成长约20%。 

台积电董事长刘德音则表示，今年台积电营收预期将成长30%左右，短期内疫情、世界经济与半导体产业循环不确定性将持续存在，但已准备好迎接未来几年挑战。

展望未来，刘德音表示，随着数字化加速及半导体技术持续领先，台积电正进入高结构性成长的阶段，也因如此，在扩厂方面必须做好事前部署准备，也大幅增加资本投资，大部分半导体制造扩厂仍会持续在台湾地区，但也将延伸到美国及日本。

3、世界先进示警：Q2终端需求不及预期，Q3产能利用率将下降

由于面板驱动芯片(DDI)订单下滑，加上既有产线要转换为生产PMIC等其他芯片会有时间差，业界传出，8英寸晶圆代工厂商世界先进第三季产线利用率将由满载的高点下滑，该季的产能利用率恐下降到90%到95%。

4、欧盟将Type-C设为手机、平板电脑等设备统一充电端口，新法将于2024年秋季生效

据外媒报导，欧盟6月7 日就为手机、平板电脑与相机提供单一的移动充电接口达成协议，苹果将不得不在 2024 年前更换欧洲销售的 iPhone 接口。

欧盟执委会表示，2021年公布的这项统一充电器接口计划已获得临时批准，预估每年将替消费者节省2.5 亿欧元（2.67 亿美元）。此次欧盟的统一充电器接口规格协议为全球首创，但还需要欧洲议会与 27 个欧盟国家签署。

新法生效后，到 2024 年秋季，手机与平板电脑制造商必须遵守单一充电接口规定，至于笔电则有更充裕时间，欧盟谈判代表给笔电生产商在新法生效后 40 个月的时间改变。

5、应用材料公司将在韩国设立研发中心

据韩媒报道，全球最大的半导体设备制造商美国应用材料公司决定在韩国设立研发中心。韩国政府官员表示，应用材料最早将于 6 月正式宣布在京畿道南部建立研发中心的计划。报道称，应用材料正在寻求加强与三星电子和 SK 海力士的合作体系。

应用材料研发中心建成后，韩国将成为全球四大半导体设备供应商中的三个的研发基地。Lam Research 已于 4 月在韩国开设了研发中心，东京电子正在扩大其在韩国的研发中心，而ASML决定建立一个极紫外（EUV）设备培训中心。

6、传三星Galaxy Z Fold4将推出1TB容量版本，售价或达1999美元

近日，有爆料称，三星Galaxy Z Fold4除了将配置骁龙8+处理器之外，存储方面也将支持配备12GB内存，最高1TB存储容量，预计售价可能高达1999美元。

屏幕方面，Galaxy Z Fold4内屏尺寸为7.6英寸，刷新率为120Hz，外屏尺寸为6.2英寸，刷新率为120Hz。

消息称，该款机型可能会在8月份前后登场。

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