【简讯】​兆易创新38nm闪存量产；realme 150W快充手机曝光…

2月22日，兆易创新宣布，旗下全国产化38nm SPI NAND Flash——GD5F全系列已通过AEC-Q100车规级认证。

兆易创新表示，该系列包含 GD5F1GQ5/GD5F2GQ5/GD5F4GQ6产品，覆盖1Gb-4Gb容量，从设计研发、生产制造到封装测试所有环节，均采用国内供应链，极大程度上填补了国产大容量车用存储器的空白，全面进入汽车应用领域，并且兆易创新拥有强大的本地化支持和快速的客户响应能力，加速助力汽车应用的国产化。

兆易创新GD5F系列SPI NAND Flash 芯片使用成熟的38nm制程工艺，采用WSON8 8mmx6mm少引脚、小型化封装，在狭小空间内实现大容量的选择；其内置ECC纠错模块，在保留NAND成本优势的前提下，极大提高产品的可靠性；并且在-40℃~105℃的宽温度范围内，实现高达10万次的擦写性能。

目前，兆易创新GD5F全系列SPINAND Flash 均已通过AEC-Q100车规级认证，并且在其久经验证的车规级GD25 SPI NOR Flash基础上形成了有效的扩展。

在Flash存储器领域，兆易创新已实现从SPI NOR Flash 到SPI NAND Flash的车规级产品的全面布局，为车载应用的国产化提供丰富多样的选择。兆易创新GD5F SPI NAND Flash 和GD25 SPI NOR Flash车规级产品均已量产。

今天，有数码博主爆料，realme将在MWC上展示的闪充科技是150W超级闪充技术，量产机已经规划完毕，就等正式发布。据他透露，realme新机支持150W闪充，充电器支持20V 8A最高160W快充协议，采用双电芯方案，电池容量为4500mAh，实验室测试的数据是仅需12分钟左右充满。

毫无疑问，这是迄今为止充电速度最快的手机，也是目前快充功率最高的手机。最重要的是，这次要展示的150W闪充技术不是PPT，而是可以量产商用的快充技术。

此前realme曾对外展示过125W闪充技术，该技术使用了转换效率高达98%的并联三电荷泵方案，它有效地避免了大电流造成的电荷泵过载、过热的情况。

不过realme并未将125W量产商用，如今realme将快充推向新高度，150W即将量产，值得期待。

据DigiTimes报道，苹果已经完成了其传闻已久的增强现实（AR）和虚拟现实（VR）头显的关键生产测试。

据报道，该设备已经完成了第二阶段的工程验证测试（EVT 2），以确保原型设备符合苹果的设计目标和规格，其预计将在2022年底前亮相。

苹果将于2022年推出的混合现实头显将配备三个显示器。显示器的配置将包括两个微型OLED显示器（4K）和一个AMOLED面板，索尼将提供苹果将使用的微型OLED显示器。

索尼最近展示了一款每英寸4000像素的4K显示屏，专门用于VR头显，报告显示，索尼有可能专门为苹果开发了这种显示屏。如果苹果确实在使用索尼的这项技术，假定4000 x 4000像素的阵列表明头盔的显示屏对角线尺寸将达到1.4英寸。

按照之前消息人士的说法，苹果这款AR产品还配备了15个光学模块，两个主处理器，Wi-Fi 6E连接，眼球追踪，透视AR模式，物体追踪，手势控制以及更多，价格至少在2万块左右。

2021年的手机圈百花齐放，各种性能拉满、配置强悍的新机让人看花眼，与此同时，手机圈也缺席了一款重磅旗舰——华为Mate 50系列，这部本该在去年登场的新机，因芯片等各方面限制原因，未能如期与消费者见面。

据最新消息透露，就目前得到的消息看，华为Mate 50系列将只有骁龙8处理器版本，同时也只有4G版。有数码博主表示，在摄像头方面，华为Mate 50系列相比P50系列有所提升，虽然依旧还是旗舰级水平，但相比今年手机行业内卷严重的拍照，大家基本上没有太大差异。

当然，具体情况还是要以发布会实际发布的版本为准。

至于华为Mate 50系列会在什么时候亮相，这位博主称，大概在7月中下旬发布。

值得一提的是，作为最新旗舰机皇，华为Mate 50系列必然会有鸿蒙系统加持，此前有消息指出，鸿蒙OS 3.0会在7月左右发布正式版。据微博“花粉超话”主持人的曝料，鸿蒙OS 3.0将在3月开启内测。他还确认，鸿蒙OS 3.0的新特性适配已经到了第二批平台，包括麒麟990。

从上周投资者会议公布的路线图来看，Intel在2025年前的产品及技术路线图都非常激进，不仅要在4年内掌握5代CPU工艺，同时在外部委托的代工工艺上也要大升级，16代酷睿Lunar Lake的GPU核显要上台积电的2nm工艺了。

根据Intel公布的路线图，去年的12代酷睿、今年的13代酷睿Raptor Lake的GPU核显部分都是自己生产的，跟CPU工艺同代，都是Intel 7工艺。

从2023年的14代酷睿Meteor Lake开始就不一样了，因为架构大改，第一次采用非单一芯片设计，弹性集成多个小芯片模块，包括下一代混合架构CPU、tGPU核显引擎、AI加速单元，而且功耗非常低。

这其中，CPU模块的工艺是Intel 4，也就是之前的7nm EUV工艺，而GPU核显单元是交给代工厂的，Intel虽然没有提到具体名字，但tGPU及N3工艺的说法基本上可以证实是台积电3nm工艺。

2024年的15代酷睿Arrow Lake的工艺更复杂了，Intel 4及20A工艺可能都有，GPU核显应该会继续使用台积电的3nm工艺。

2025年就要轮到16代酷睿Lunar Lake，很多细节还没公布，CPU工艺应该是升级版的18A工艺，GPU核显工艺没说，但有媒体爆料称这是台积电的2nm工艺。

结合台积电之前的路线图来看，2024年他们将量产2nm工艺，Intel在2025年用上2nm工艺也是很可能的，毕竟Intel很快就会成为台积电三大客户之一，仅次于苹果用上先进工艺的地位是可以确定的。

2月22日消息，型号为V2186A的vivo新机现身GeekBench跑分网站，它搭载的是联发科天玑9000旗舰处理器，这是业界首批天玑9000终端。

GeekBench跑分网站显示，天玑9000的单核成绩为1248，与骁龙8相差不大，而多核成绩达到了4191。超过了骁龙8（多核成绩3855）以及三星Exynos 2200（多核成绩3657），称霸安卓阵营。

据悉，天玑9000基于台积电4nm工艺打造，由1个Cortex-X2超大核、3个Cortex-A710大核以及4个Cortex-A510小核组成，GPU为ARM Mali-G710。

和天玑9000相近，骁龙8也是由一个Cortex X2超大核+三个Cortex A710大核+四个Cortex A510小核组成，GPU为Adreno 730。

从规格不难看出，天玑9000和骁龙8的差异点之一是GPU。根据曝光的安兔兔跑分，骁龙8的GPU成绩在45万分左右，而天玑9000的GPU成绩在42万分左右，略逊于骁龙8。

另外，天玑9000芯片由OPPO Find X5 Pro天玑版首发，vivo也很快会推出天玑9000终端。