国内首条!28/22nm ReRAM 12吋产线试产

百家 作者:芯智讯 2022-02-18 16:45:17


2月17日消息,据杭州日报报导,由昕原半导体(杭州)有限公司(以下称“昕原半导体”)主导建设的国内首条28/22nm ReRAM(阻变存储器)12英寸中试生产线顺利完成了自主研发设备的装机验收工作,实现了中试线工艺流程的通线,并成功流片(试生产)。


目前,全球主流的新型存储器技术主要有PCM(相变存储器)、FeRAM(铁电存储器)、MRAM(磁性存储器)及ReRAM(阻变存储器)。相较于其他几项新型存储器技术而言,ReRAM的材料需求种类和额外的光罩数量更少,可以实现更低的生产成本。同时,业界普遍认为ReRAM能够充分满足神经形态计算和边缘计算等应用对能耗、性能和存储密度的要求,预期将在AIoT、智能汽车、数据中心、AI计算(存算一体)等领域获得广泛的运用。



“我们从密度、能效比、成本、工艺制程和良率各方面综合衡量,非常看好ReRAM存储器的技术及商业发展前景,所以把它作为我们的研发重点!”昕原半导体相关负责人表示。


新型存储器的核心,是在其开发中需要在传统CMOS工艺里增加一些特殊的材料或工艺,这些特殊材料或工艺的开发则需要经过大量实验及测试验证。


传统CMOS代工厂或因囿于资源所限,迭代速度较慢,从而影响工艺开发进度,而国内各大科研院所虽可在实验室阶段加快迭代速度,但没有标准的12英寸量产产线,实验成果往往很难走向量产。


昕原自行搭建的28/22nm ReRAM(阻变存储器)12英寸中试生产线就解决了上述问题。汲取了代工厂和实验室的长处,迭代速度快,产线灵活,拥有自主可控的知识产权,使得ReRAM相关产品的快速实现变成了可能。


“作为大陆首条28/22nm ReRAM 12英寸中试生产线,我们产线的顺利导通并完成产品的验证和实现量产,将极大带动我国新型存储行业发展。”昕原半导体相关负责人表示,“而在这一领域,目前国内外差距较小,壁垒尚未形成,为我国存储器产业实现“弯道超车”提供了可能。”


存储芯片中除了NAND闪存及DRAM内存之外,还有多种技术选择,ReRAM(非易失性阻变式存储器)就是其中一种,其写入寿命可达100万次,此前主要是生产难度大,现在杭州昕原半导体主导建设了国内首条28/22nm ReRAM 12英寸中试生产线。


传统CMOS代工厂或因囿于资源所限,迭代速度较慢,从而影响工艺开发进度,而国内各大科研院所虽可在实验室阶段加快迭代速度,但没有标准的12寸量产产线,实验成果往往很难走向量产。


昕原自行搭建的28/22nm ReRAM(阻变存储器)12英寸中试生产线就解决了上述问题。汲取了代工厂和实验室的长处,迭代速度快, 产线灵活,拥有自主可控的知识产权,使得ReRAM相关产品的快速实现变成了可能。


“作为大陆首条28/22nm ReRAM 12英寸中试生产线,我们产线的顺利导通并完成产品的验证和实现量产,将极大带动我国新型存储行业发展。”


昕原半导体相关负责人表示,“而在这一领域,目前国内外差距较小,壁垒尚未形成,为我国存储器产业实现‘弯道超车’提供了可能。”


编辑:芯智讯-林子  综合自网络

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