存储遇性能瓶颈，英特尔有何“妙招”？关注CFMS2021英特尔精彩演讲！

在几大NAND Flash核心原厂中，英特尔主要专注企业级市场，并积极推动QLC技术应用扩展。在即将于9月14日在深圳市南山区华侨城洲际酒店召开的2021中国闪存市场峰会（CFMS2021）中，英特尔NPSG亚太区销售总监倪锦峰先生将出席并发表重要演讲，分享英特尔发展战略及未来规划。

英特尔坚持技术创新，推动SSD在数据中心领域应用扩大

众所周知，在闪存领域中主要有两种技术路线：电荷捕捉（Charge Trap）和浮动栅极（Floating gate），两者各有特点。而浮栅技术的优势主要在于数据留存方面，且可靠性更高，做QLC和PLC等高密度存储更具优势。

目前，在各大原厂中，仅英特尔仍然采用浮栅技术，并持续推动在数据中心、企业级市场中的应用，并为业内首家向数据中心和客户端出货QLC PCIe NAND固态盘的公司。

在企业级市场上，当前还是以HDD为主，但是在性能与功耗上HDD自然无法与SSD比拟。近年来，随着NAND Flash成本、可靠性及耐用性等方面逐渐优化，企业级SSD的出货量逐渐增加，根据闪存市场ChinaFlashMarket数据，企业级SSD的平均容量在2021年有望突破2.5TB。

超过30年闪存研发经验， 144层QLC技术助力英特尔占据优势地位

在NAND Flash领域，英特尔资历深厚，在推动QLC应用扩展方面一直态度积极，并在去年底推出业内首款144层QLC SSD。英特尔表示，QLC闪存已经在平均故障间隔时间、平均温度、质保寿命、不可修复错误率(UBER)、数据持久性等质量与可靠性指标上看齐TLC，并且兼容同样的集成电路设计，大大简化升级换代。

另外，英特尔还有一个特点，那就是一直深耕企业级市场，并于今年上半年发布了数款数据中心的产品。关于英特尔更多新品情况，敬请关注CFMS2021。

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