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继卡位176层3D NAND技术制高点后，美光再次宣布DRAM技术突破！

百家作者：闪存市场 2021-01-27 12:52:46

美光宣布批量出货1αnm（1-alpha）节点DRAM产品，新一代先进技术与之前的1Znm节点相比，存储密提高了40%，功耗和性能方面也都有明显的改善。

来源：美光

美光表示，已经在台湾地区的工厂批量生产1αnm工艺节点的DRAM，为8Gb和16Gb容量，首先是面向PC客户推出DDR4和消费类Crucial PC DRAM产品，同时面向移动市场推出的LPDDR4样品也已进入认证阶段，预计将在2021年也会推出基于该技术的其他新产品，比如LPDDR5。

美光是主要的NAND Flash和DRAM芯片供应商，2020年10月美光宣布量产176层3D NAND，震撼业界。如今，美光再次宣布出货1αnm（1-alpha）DRAM技术又是一大突破。

美光量产1αnm技术DRAM，三星、SK海力士新一代技术也将接踵而至

1αnm是第四代10nm级DRAM技术，是三星、SK海力士、美光2021年角逐的新一代DRAM技术，随着美光宣布量产1αnm（1-alpha）DRAM产品，预计三星、SK海力士1αnm也将会在不久到来。

据悉，三星已在2020年基于1Znm制程技术量产16Gb LPDDR5，并率先导入EUV工艺，三星也规划将在2021年大量生产基于第四代10nm级（1α）EUV工艺的16Gb DDR5/LPDDR5。

SK海力士新建的M16工厂也已完成EUV洁净室的建设，待设备安装和调试过后，预计将在2021下半年开始量产第四代1αnm 制程DRAM。

美光看好DRAM前景，量产1αnm技术助力DRAM业务成长

无论是3D NAND还是DRAM技术，美光的技术进展都非常的迅速，尤其是推出176层3D NAND之后将在2021年首季末规模化生产，领先业界。美光量产1αnm技术DRAM不仅仅是为了应对市场激烈的竞争，也是为了迎接DRAM市场需求的成长。

2021年DRAM市况乐观，而之前在2020年12月份，美光桃园DRAM工厂停电以及台湾地区地震短暂影响桃园和台中厂，导致美光在2021财年Q2（2020年12月-2021年2月）的DRAM供应减少，如今美光1αnm技术进入量产阶段，可望提高DRAM产量，满足市场需求的增长。

另一方面，因为2020下半年数据中心和企业领域需求疲软，企业级DRAM收入下滑影响美光2021财年Q1（2020年9-11月）DRAM营收40.56亿美元也环比下滑了7.2%，但是美光认为DRAM已经过了谷底，再加上客户端和数据中心模块中16Gb的采用率有所提高，预计2021年DRAM行业需求增长将达到15%以上。

在美光1αnm技术的驱动下，不仅有助于提高DRAM产量，而且每片晶圆的bit比1Znm提高40%，预计2021年成本将降低5%左右，助力提高美光DRAM业务获利。

美光技术与产品执行副总裁斯科特·德伯尔（Scott DeBoer）表示：1αnm工艺节点体现了美光在DRAM方面的优越表现，计划将在2021年集中提高1αnm节点的DRAM组合产品，以满足当今DRAM市场需求，以及增强应用范围和影响力，从移动市场向汽车行业扩展。

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