重磅!消息称长江存储第四代3D NAND将由128层直接迈进192层
近期,有媒体报道称,消息人士表示,长江存储计划最早将于2021年年中试产第一批192层3D NAND闪存芯片。此外,计划到2021年下半年将存储芯片的月产量提高一倍,至10万片晶圆。
当然,消息补充称,由于192层工艺的复杂性,需要时间确保量产芯片质量,这一计划有可能会被推迟到今年下半年。
对于上述消息,长江存储不予置评。
从追赶者到业界领先水平,长江存储仅用了不足5年时间
众所周知,在存储芯片制造领域,国内几乎处于“空白”,2016年长江存储的成立就肩负着填补这一空白的重任。
2017年10月,长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式,成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。2019年9月,搭载长江存储自主创新Xtacking架构的64层TLC 3D NAND闪存正式量产。至此为止,长江存储依然扮演的是追逐者的角色。
直到今年4月初,长江存储率先发布两款128层3D NAND 产品,分别为:容量为1.33Tb的128层QLC 3D NAND闪存和容量为512Gb的128层TLC 3D NAND闪存,这代表着当时业界最高存储密度、最高I/O传输速度、单颗Die最高容量。
媒体报道称,长江存储的128层芯片的良率目前在70%左右,仍有提高的空间。
目前,长江存储128层3D NAND的传输速率能够达到1.6GT/s,业内人士预估,下一代192层产品的传输性能将大于2GT/s。
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下一代闪存技术的较量已经拉开帷幕,长江存储有望获得优势
2020年各大原厂均在100+层3D NAND取得实质性进展,其中,三星已经将其第六代1XX层V-NAND应用于消费类及数据中心市场;西部数据/铠侠成功推出112层堆叠的BiCS5 3D NAND;英特尔也在2020年底推出采用144层TLC、QLC 3D NAND的SSD产品。
对于下一代闪存技术,美光步伐最快,于去年11月份宣布开始批量生产全球首个176层3D NAND Flash,与上一代128层3D NAND技术相比,将读取延迟和写入延迟改善了35%以上,基于ONFI接口协议规范,最大数据传输速率1600 MT/s,提高了33%,混合工作负载性能提高15%,紧凑设计使裸片尺寸减小约30%,每片Wafer将产生更多的GB当量的NAND Flash。
SK海力士紧随其后,宣布成功开发出176层512Gb TLC 4D NAND,并已在去年11月份给主控厂商提供样品,预计2021年中将有基于176层4D NAND新技术的UFS和SSD产品面世。
而三星虽然没有官方消息证实其第七代V-NAND技术,但是早有媒体报道称,三星将在2021年量产第七代V-NAND,使用“双堆栈”技术,具体堆叠层数并未透露。西部数据/铠侠与英特尔的下一代闪存技术依然十分“神秘”。
根据当前信息,若长江存储当真将在今年年中率先试产第一批192层3D NAND闪存芯片,意味着其很可能成为全球首家推出192层3D NAND的厂商,代表着长江存储再一次取得历史性突破,并有可能在下一代闪存技术的较量中处于领先地位。
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