ASML已完成第100台EUV光刻机出货,2021年产能可达45~50台
根据最新的数据显示,光刻机大厂ASML的极紫外光(EUV)光刻机在12月中完成了第100台EUV光刻机的出货,预估2021年其EUV曝光机产能可达45~50台规模,这也意味着EUV光刻机出货进入高速成长阶段。
由于台积电、三星、英特尔、SK海力士等半导体大厂均全力布建EUV生产线,ASML的EUV光刻机的出货量将会持续增长。
半导体制程跟随摩尔定律持续微缩,EUV光刻技术成为关键。以逻辑制程来看,台积电及三星晶圆代工的5nm制程已量产,平均每片晶圆的EUV光罩层达10~14层,与采用EUV的7nm相较增加一倍,至于3nm EUV光罩层将提升至20层以上,对极紫外光光罩盒(EUV Pod)的需求量呈现等比级数成长。
至于英特尔基于EUV技术的7nm已试产并加速进行良率提升,预期2022年之后将导入量产。半导体设备业者预估,英特尔7nm EUV光罩层有望逐步接近台积电晶的5nm水准,英特尔的5nm采用的EUV光罩层将会与台积电3nm相当,这也是为何英特尔现阶段已积极巩固EUV Pod供货产能的原因。
此外,三星及SK海力士已开始扩建采用EUV技术的DRAM产线,美光虽然还未表态但已开始招兵买马预作准备。据业界消息,韩系存储厂第一代EUV的DRAM制程约采用2层EUV光罩层,但第二代将增加至4层。由于DRAM厂投片规模庞大,单一厂区的月投片量高达20~30万片,若全数转成EUV技术则对EUV Pod的总需求量并不输给晶圆代工厂。
ASML 2020年EUV设备产能大概有35台出货量,12月中第100台EUV光刻机已正式出货,2021年产能将提升至45~50台,包括台积电、三星、英特尔等半导体大厂都积极建置EUV产能及备品供应链。
由于全球EUV Pod只有中国台湾的家登精密及美国的英特格(Entegris)两家供应商获得ASML及各半导体厂认证,且家登与英特格和解后的市占率已明显拉升,2021年接单大爆发且订单能见度看到年底,来自晶圆代工厂、IDM厂、存储厂的订单都较2020年增加逾一倍。
编辑:芯智讯-林子 来源:工商时报
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