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对存储产业影响深远，2020年发生的大事件和技术突破，都在这里！

百家作者：闪存市场 2020-12-18 18:00:15

对于存储产业而言，2020年是不平凡的，上半年遭遇“疫情”和国际贸易战的冲击，下半年因晶圆代工产能紧缺而引发半导体芯片涨价潮，以及存储产业行情的剧烈波动。

虽然存储产业面临着较大的挑战，但是依然抵挡不住存储产业前进的步伐，为了更好的应对市场变化，三星、铠侠、西部数据、SK海力士等原厂在投资、技术、策略等方面有了新的变化和突破。

NAND技术：SK海力士、美光相续突破176层3D NAND

2020年三星、铠侠、西部数据、美光、SK海力士等主要是扩大9x层3D NAND在市场上的普及。同时，三星1XX层、西部数据/铠侠112层、SK海力士128层、美光128层、英特尔144层3D NAND不断提高生产比重，并积极推动在SSD产品中的应用。

到2020年底，美光、SK海力士公开宣布在176层3D NAND上率先取得突破进展。美光是在11月份宣布开始批量生产全球首个176层3D NAND Flash，其读取延迟和写入延迟将改善35%以上，最大数据传输速率1600 MT/s，提高了33%，混合工作负载性能提高15%，紧凑设计使裸片尺寸减小约30%，每片Wafer将产生更多的GB当量的NAND Flash。

SK海力士则是在12月份宣布推出176层4D NAND，与上一代相比，Bit生产率将提高35%以上，读取速度加快了20%，数据传输速度也提高了33%，达到1.6Gbps，稍晚些还将推出基于176层的1Tb容量4D NAND，预计2021年中将有基于176层4D NAND新技术的UFS和SSD产品面世。

此外，三星也表示，将在2021年量产第七代V-NAND，使用“双堆栈”技术，具体堆叠层数并未透露，而三星在128层工艺节点，采用的是“单堆栈”技术生产3D NAND。三星也强调，采用“双堆栈”技术，不仅更具技术竞争力，3D NAND也有望堆叠层数达到256层，但并不一定意味着三星第七代NAND将具有这种配置。

DRAM技术：三星1Znm 率先导入EUV，原厂2021年将进入1αnm技术新阶段

2020年三星、美光、SK海力士等DRAM技术主要是从1Ynm全面向1Znm推进，这也是DRAM第三代10nm级技术，到第四代10nm级之后，将会大规模的导入EUV工艺。

2020年，三星量产的16Gb LPDDR5首次导入EUV工艺，基于1Znm制程技术，更先进的技术相较于12Gb容量提升了33%，封装的厚度也薄了30%。同时，三星也规划将在2021年大量生产基于第四代10nm级（1α）EUV工艺的16Gb DDR5/LPDDR5。

美光提高1Znm LPDDR5产量，以及推动GDDR6X不断创新，同时处于研发阶段的1αnm DRAM计划将在2021上半年量产，在成熟良率下，1αnm工艺节点比1Znm节点每片Wafer晶圆增加40%的Bit量，1βnm工艺正处于初期研发阶段。

SK海力士计划利用EUV技术优势，推动第四代10nm级(1a)DRAM量产，预计2021年开始批量生产1a nm DRAM。

投资建厂：三星西安二期、平泽P2，铠侠K2、Fab7…

存储产业竞争之下，投资必不可少。2020年三星在中国的西安二期1阶段投产，开始新建二期第二阶段项目将在2021年下半年竣工，同时平泽P2工厂投资8兆韩元新建NAND Flash产线，计划2021下半年开始量产，以及还在规划新建P3工厂。

铠侠与西部数据共同投资的岩手县北上市新工厂K1已在2020上半年开始少量生产，在四日市存储器生产基地北侧，Fab7工厂土地正在动工中，建设将分两个阶段，第一阶段建设计划于2022年春季完成。另外，铠侠还宣布将扩建日本岩手县生产基地，将在现有的K1工厂旁扩产K2厂区，将于2021年春季开始，2022年春季完成。

美光正在新建A3工厂洁净室，预估将在2021年投入量产1Znm或1α技术，同时美光也计划将在2021年提出建设A5厂项目的申请，持续加码投资DRAM，将用于1Znm制程之后的微缩技术发展，进一步扩大先进技术的量产规模。至于SK海力士，利川M16厂预计将在2021年上半投片，下半产品出货。

长江存储国家存储器基地项目二期也正式开工建设，国家存储器基地项目总投资达240亿美元，分两期建设3D NAND芯片工厂，一期于2016年底开工建设，并建成10万片/月产能，二期规划产能20万片/月，两期项目达产后月产能共计30万片。

策略调整：原厂重大结构变化，将引发全球格局动荡

1、三星公司高层人事调动

2020年12月份，三星对公司管理层进行变动，5名三星高管发生人事变动，其中三名得到升迁：

三星电子消费电子事业部Lee Jae-seung副社长升迁为三星电子消费电子事业部社长；
三星电子存储事业部DRAM开发副社长Lee Jung-bae升迁为三星电子存储事业部社长
三星电子存储器制造技术部Choi Si-young副社长升迁为三星电子Foundry事业部社长。

另外，三星对公司董事长一职并未安排人员顶替，目前仍处于空缺状态。

2、西部数据整合Flash和HDD技术资源成立独立的产品业务部门

西部数据将Flash和HDD技术资源整合，并成立独立的产品业务部门，致力于提供多元化的存储产品组合解决方案，将使得SSD和HDD产品线更加灵活调度，取长补短，更好的满足市场需求。

3、铠侠推迟原本在2020年IPO上市的计划，同时东芝要卖铠侠股份

因为市场行情持续动荡及“疫情”爆发带来的不确定性，铠侠推迟了原本在2020年10月6日的上市计划，并将继续评估上市的合适时机。业内人士认为，若铠侠错过了2021年2月的截止日期，那么其IPO计划将推迟到2021年下半年。

值得注意的是，作为铠侠股东之一的东芝，表示无意继续从事Memory相关的业务，于2020年8月宣布将出售其持有的部分铠侠普通股。

4、SK海力士整合DRAM和NAND Flash两大开发部门

SK海力士在2019年底宣布在2020年进行一系列的人事调动和业务重组，其中将DRAM和NAND Flash两大开发部门整合在一起，实现从开发、制造，以及业务的后期处理等统一的管理。重组后，SK海力士首席半导体技术专家Jin Kyo-won提升为开发制造总裁，负责DRAM和NAND Flash从开发到批量生产，提高运营效率。

SK海力士在2020年宣布投资5500万美元成立高斯实验室，将通过工业AI解决方案实现制造的创新。

5、英特尔将NAND业务和大连工厂出售给SK海力士

继英特尔与美光结束了NAND Flash技术合作，以及将合资工厂的股份也全部卖给了美光之后，又将NAND业务卖给了SK海力士，包括生产3D NAND的中国大连工厂。

按照协议，英特尔NAND SSD业务、NAND组件和晶圆业务以及中国大连NAND工厂将在2021年底移交给SK海力士，但这项交易仍需获得监管部门的批准。同时，英特尔将继续在大连工厂生产NAND晶圆，并保留所有NAND晶圆制造和设计相关的知识产权，一直到2025年3月交易最终完成。这个生产结构是为了保护知识产权的合法所有权。

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