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美光：5G将带动移动NAND产业bit出货复合增长30%，DRAM增长15%

百家作者：闪存市场 2020-05-25 13:07:27

日前，美光发布其移动部门战略规划，认为5G时代20Gbps的峰值网络速度，更低的网络延迟、更密集的网络建设等，将在移动通信、汽车、物联网、网络通讯、大数据等领域创造巨大的商机，并预计在近4年里移动NAND产业bit出货复合增长30%，DRAM产业bit复合增长15%。

来源：美光

2020年全球5G手机出货上看2.2亿台

虽然受“疫情”全球爆发的影响，2020年全球智能型手机出货较2019年恐呈现衰退之势，欧美多个国家和地区也宣布推迟5G频谱拍卖，但中国5G发展进展迅速。2020年中国三大运营商计划建设超过50万个5G基站，中国电信计划投资453亿建设5G基站，中国移动将投150亿元用于5G终端，中国联通近2年内将投资210亿用于支持5G终端战略。

目前三星、华为、OPPO、小米、VIVO等已推出多款5G手机，且售价已下探至2000元以下，据市场数据显示，2020年Q1全球5G智能手机出货量已超2019年全年至2410万台，其中中国5G手机出货量达到1406万部，占全球份额近60%。

随着三星、华为等安卓阵营在2020上半年5G手机市场发力，下半年苹果也将发布其5G版iPhone，高通曾预计包括苹果在内的所有5G手机厂商2020年将出货1.75亿-2.25亿部5G设备，联发科也预计2020年全球5G智能手机出货1.7-2亿部。到2021年，5G手机出货有望达到4.5亿台，并推动全球智能型手机重回成长之势。

来源：网络

美光：5G手机对NAND和DRAM容量需求不断升级

伴随着5G手机的到来，高通、联发科等CPU处理器能力不断提高，手机摄像头配置也从最初的单摄发展到4摄或6摄，再加上极致的万亿像素成像，4K/8K视频/游戏等，5G手机对DRAM和NAND Flash提出了新的存储需求与挑战。

美光在报告中表示，5G手机旗舰机和中端机型对DRAM的需求将从6GB向8GB以上转移，旗舰机对NAND Flash的需求则从128GB/256GB向256GB/512GB升级，中端机型则从128GB向128GB/256GB转移。至于低端手机，出于对成本的考虑，对DRAM的需求将从2/4GB向6GB以上转移，对NAND Flash的需求从32GB/64GB向64GB/128GB升级。

手机市场庞大，是DRAM和NAND Flash产业重要的应用领域，自2016年以后全球智能型手机出货量成长趋缓，手机市场对容量的扩容成为存储产业成长的中坚力量，美光预计5G手机的成长在2019-2022期间，将推动移动NAND产业bit出货复合增长30%，DRAM产业bit复合增长15%。

来源：美光

5G手机对存储提出新的要求：UFS 3.1+LPDDR5

5G手机带来巨大商机的同时，竞争也变的越来越激烈，2020上半年三星、小米、OPPO、中兴等5G手机新品前赴后继，UFS3.1+LPDDR5已成为手机大厂旗舰机的标配。

三星在2018年就开始向LPDDR5标准过渡，2020年基于第二代10nm级工艺技术，已经开始大规模生产16GB 的 LPDDR5，包含8个12Gb的芯片和4个8Gb的芯片，为下一代高端智能手机提供更高的性能和更大的容量。美光也已向客户交付量产的LPDDR5，容量包括6GB、8GB和12GB，满足市场对更高存储性能和更低能耗的需求。

另一方面，三星也在2020年3月批量生产512GB eUFS 3.1，其写入速度为512GB eUFS 3.0的三倍，还会提供256GB和128GB容量选择。西部数据和Kioxia也相继在2020年推出UFS 3.1产品，采用主流的96层3D NAND，并充分利用UFS 3.1高带宽以及SLC NAND缓存，连续读速比UFS 3.0提升30%。

此外，美光将在2020年开始在全球范围内大规模部署uMCP5产品，其基于LPDDR5和UFS的多芯片封装的高集成uMCP5已在2020年3月送样给客户，旨在为中端智能手机提供高密度、低功耗存储解决方案，较UFS 3.1+LPDDR5分离的解决方案减少40%的手机占用空间，实现更小巧，更灵活的智能手机设计。

来源：美光