长江存储发布128层闪存芯片，单颗容量高达1.33Tb

2019年9月2日，长江存储其64层3D NAND闪存在IC China 2019紫光集团展台亮相，正式开始量产。今年1月，长江存储市场与销售高级副总裁龚翔表示，长江存储64层闪存并且绝非低端产品，质量有保证，是可以保证盈利的。

而进入2020年，全球闪存厂商都在集体奔向100+层，例如SK海力士的128层已经稳定出货，并计划在年底推出196层内存；三星、镁光、西数、Intel也都已经突破了百层；国内长江存储则将跳过96层，直接投入128层闪存的技术研发和量产。

来源：中国闪存市场ChinaFlashMarket

今日，长江存储在官网重磅宣布，其128层QLC 3D NAND 闪存（型号：X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。

据了解，长江存储的128层QLC 3D NAND 闪存产品将最晚明年上半年开始量产，未来将在满产时配合10万片月产能，将在平衡全球供应上发挥关键作用。

按照长江存储的说法，这款产品的独特之处在于，它是业内首款128层QLC规格3D NAND，且拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。

与此同时，长江存储还发布128层TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060），单颗容量512Gb(64GB)，以满足不同应用场景的需求。

性能方面，长存透露，两款产品拥有1.6Gbps的I/O读写性能，3D QLC单颗容量高达1.33Tb，是上一代64层的5.33倍。

据悉，两款产品均采用长存自主研发的Xtacking堆栈架构的2.0版本，外围电路和存储单元可堆叠，带来极佳的扩展性。据悉，闪存性能和功能等方面的升级，也是长江闪存跳过96层，直接上128层的保障。

随着5G、AI高新技术正在快速发展，长江存储方强调，为了满足未来5G、AI时代多元化数据存储需求，128层QLC 版本将率先应用于消费级SSD，并逐步进入企业级服务器、数据中心等领域。

近几年，国人开始重新审视我国在芯片、操作系统等方面布局，解决基础、核心技术带来的“卡脖子”问题。业内人士表示，中国在存储技术，包括闪存技术方面发展非常快，现在已经赶上全球，不落后了。

不得不说，作为后起之秀，长江存储自去年9月份成功量产64层3D NAND，并成为国内首家成功导入客户群的国产存储原厂，现时隔7个月，又发布业内领先128层3D TLC/QLC NAND Flash，已逐渐追上业界主流厂商的先进水平。

“作为闪存行业的新人，长江存储用3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。” 龚翊表示。最后还是期待相关终端产品尽快上市和应用吧。

（编辑：崔崔）

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