三星量产512GB eUFS 3.1，平泽P1产线将更新为生产100+层V-NAND

三星电子宣布已经开始批量生产用于智能手机的512GB eUFS 3.1，其写入速度为512GB eUFS 3.0的三倍，打破了智能手机存储中1GB/s的阈值。除了512GB选项外，三星还将于今年晚些时候推出256GB和128GB容量。

来源：三星

三星电子存储器销售与市场营销执行副总裁Cheol Choi表示，随着开始批量生产最快速度的移动存储，智能手机用户将不再担心传统存储卡所面临的瓶颈，新的eUFS 3.1反映了我们对支持全球智能手机制造商迅速增长的需求的持续承诺。

三星eUFS 3.1连续写入速度超过1,200MB/s，是基于SATA SSD (540MB/s)的两倍以上，是UHS-I microSD卡（90MB/s）的十倍以上。这意味着在没有任何缓冲的情况下，将8K视频或数百张大尺寸照片等海量文件存储在智能手机中时，消费者可以享受和超薄笔记本一样的速度。配备新款eUFS 3.1的智能手机仅需1.5分钟即可移动100GB数据，而基于UFS 3.0的电话则需要4分钟以上。

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就随机性能而言，512GB eUFS 3.1的处理速度比UFS 3.0版本快60％，每秒可提供100,000 IOPS，而写入则可提供70,000 IOPS。

目前，除三星之外，西部数据和Kioxia也相继在2020年推出UFS 3.1相关产品。其中西部数据iNAND MC EU521采用主流的96层3D NAND，并充分利用UFS 3.1高带宽以及SLC NAND缓存，可提供最高800MB/s的顺序写入速度，较三星UFS3.1产品1200MB/s的连续写入速度，相差约30%，且容量选择仅提供128GB和256GB。Kioxia UFS 3.1产品的容量选择较前两者均丰富，在128GB，256GB，512GB之外，还提供1TB容量选择，性能方面虽没有具体数值，但表示写速是UFS 3.0的2~3倍，连续读速比UFS 3.0提升30%。

三星嵌入式存储产品阵容

来源：三星

此外，三星表示，将在本月开始在西安二期产线量产第五代V-NAND，以完全满足旗舰和高端智能手机市场的存储需求，并计划将平泽P1产线由第五代V-NAND更新为第六代V-NAND。

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