新闻1：铠侠/西数另类复活SLC：96层堆栈XL-Flash闪存性能直追DRAM内存

    凭借领先一代的PCM相变存储技术3D XPoint，Intel的傲腾系列内存/SSD在企业级市场上占了上风，延迟超低，寿命也远超闪存。为了跟傲腾对抗，三星推出了Z-NAND闪存，铠侠、西数则推出了XL-Flash闪存，他们的思路都是差不多的，在现有3D NAND闪存基础上牺牲容量换取性能，另类复活了SLC闪存。

    据介绍，XL-Flash闪存被定义为SCM（存储类内存），介于传统DRAM内存、NAND Flash闪存之间，拥有更高的速度、更低的延迟、更大的容量，而且成本相对较低，初期将用于SSD固态硬盘，未来也可用于NVDIMM内存条等传统DRAM领域产品。

    在ISSCC 2020国际会议上，铠侠公布了XL-Flash闪存的一些特性，日本PCWatch网站做了报道，简单来看下这种新型闪存的优势到底在哪里。

    上面已经说了，XL-Flash的思路就是在3D堆栈基础上复活SLC，其内部存储的数据降低到了1bit，也就是SLC类型，这就注定了它的容量会比较低，核心容量只有128Gb（16GB），相比现在动辄TLC 512Gb甚至QLC 1.33Tb的容量小了很多。

    当然，这还是在使用了96层3D堆栈的基础上的，如果是平面时代的SLC闪存，核心容量恐怕还要再小几倍，现在128Gb核心容量基本上还是能保证大容量可用性的。

    牺牲容量换来的是性能提升，XL-Flash闪存采用了16-Plane架构，延迟只有普通3D闪存的1/20，具体来说是读取延迟4us，写入延迟75us，要比超过500us延迟的3D TLC闪存好太多了，比三星的Z-NAND闪存的100us也要好些。

    此外，XL-Flash闪存的4K随机性能也大幅提升了，IOPS更高，不过这里没具体的数据对比。

    至于存储密度，复活SLC闪存的代价也是有的，96层堆栈3D TLC闪存、512Gb核心的面积是86.13mm2，现在128Gb XL-Flash闪存就有96.34mm2，存储密度低了3-4倍。

    最后，XL-Flash闪存还有个问题就是商业化，Intel的傲腾内存及SSD都上市一两年了，铠侠的XL-Flash目前为止还没有量产，之前的消息说是2020年才会大规模量产，看样子还得等等。

转自：https://www.cnbeta.com/articles/tech/951393.htm

    其实早在去年我们就已经得到消息说是各大NAND闪存制造商有意重启SLC产品线，以应对Intel的3D Xpoint颗粒。事实上，目前高性能固态硬盘中，Intel傲腾几乎是没有对手的存在，包揽了整个最高端产品线，这不得不令其他厂商想法应对。但3D Xpoint的强悍也是有弱点的，至少目前，3D Xpoint堆砌层数的成本较高，与传统NAND闪存不尽相同，这局限了3D Xpoint颗粒的多层堆砌。而传统NAND堆砌层数反而会降低成本，铠侠与西数利用新的3D堆砌工艺复活SLC确实是应对傲腾的良药，不知道何时能看到SLC重现世间呢？

新闻2：Intel：10nm不会像14nm那样高产、5nm时代将重夺制程领导地位

    由于在14nm上停靠太久，Intel在名义制程工艺上，已经明显落后台积电与三星。日前参加大摩TMT会议时，Intel CFO George Davis坦言，10nm不会像14nm和22nm那样高产。他这番话有两层意思，一是与14nm并轨的状态下，10nm产品本身就有限；二是10nm仅会改良1~2代（10nm+、10nm++），以便迅速推出7nm。

    Davis确认，第一代改良的10nm+工艺Tiger Lake处理器会在今年底推出。

他同时透露，预计2021年底前拿出7nm产品，之后迅速切换到5nm，并重新夺取制程领域的领导地位。

    这个“领导地位”需要解释下，因为Intel 5nm时，台积电和三星至少都进入3nm了。不过台积电和三星只是名义制程，晶体管规模密度落后Intel一代。换言之，Intel只是重新回到了14nm之前“不挤牙膏”的状态而已。

    然而，即便如此，Intel付出的代价也不小。

    Davis给外界敲响警钟，10nm量产、7nm提速、5nm投资，这都是需要钱的，考虑到这部分技术交集主要集中在2020~2021年，必然会影响到Intel毛利率。

转自：https://www.cnbeta.com/articles/tech/951383.htm

    利润低产能低……10nm现在看来是彻头彻尾的过渡产品了……不过即使是过渡产品，Intel同样投入了足够的精力，桌面端产品还未发售就已经开始++了。按照官方所说，未来的7nm、5nm才是重掌霸权的节点，如今10nm的提升就已经相当惊人了，未来7nm、5nm重掌霸权绝不会是空谈！只希望Intel不要再在新工艺上不断+++挤牙膏才好……

新闻3：Intel：2020年一定会推出10nm显卡 性能中等水平

    在2020年要推出的9款10nm产品中，有一款产品会是最特殊的，那就是Intel的Xe架构独显，这是继i740显卡22年后Intel再次进军独显市场，开局第一款产品意义重大。Intel CFO首席财务官George Davis日前在会议上也确认2020年Intel一定会推出10nm显卡，不过他也没有给出具体的时间表，之前传闻说的是今年下半年，偏年底的时候。

    Intel的首款独显会是DG1，它会用上用Xe架构，这个不会变，但是性能不会是很高级别的，大概是中等水平。

    根据之前泄漏的信息，DG1独显拥有96组EU执行单元，一共是768个核心，基础频率1GHz，加速频率1.5GHz，1MB二级缓存以及3GB显存，TDP为25W。

    如果来和i7-1065G7的Gen11核显来对比，在流处理器数量上多了50%，加速频率则是1.5GHZ对1.1GHz，提升了36%。

    推测下来，DG1的性能与GTX950相当，比GTX 1050则差了15%左右。

考虑到DG1独显的TDP仅有25W，而28nm的GTX 950的TDP高达95W，16nm的GTX 1050的TDP也有75W，总体来看，新一代Intel独显拥有不错的能效比，毕竟是10nm制程工艺。

    在DG1之后，Intel还会有针对高端市场的DG2高性能独显，不过它有可能使用台积电的7nm代工，反正泄露出来的计划各种乱。

转自：https://www.cnbeta.com/articles/tech/951347.htm

   不过Intel的10nm工艺也不仅仅会应用于CPU，新的XE GPU也是它的应用方向之一。此前关于XE独显的制造工艺一直是众说纷纭，有说是14nm有说是三星台积电代工，但目前似乎10nm的可能性更大些。不过也不清楚XE显卡应用10nm是长期应用还是像CPU一样仅仅是过渡，目前仅有的XE显卡型号只有DG1，Intel称年内会推出10nm显卡，届时不知道会不会有新型号产品。

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