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存储需求继续上涨，LPDDR5+UFS3.1将成旗舰手机标配

百家作者：闪存市场 2020-02-28 05:41:30

疫情阴霾不改技术创新热情，各大手机品牌均开展线上宣传， 5G手机大战已然开启。回顾近期新机的发布，LPDDR5+UFS3.1成为今年上半年旗舰手机的顶级配置。与此同时，铠侠和西部数据顺势推出UFS3.1产品，三星也宣布正式量产业内首款16GB LPDDR5。

铠侠UFS3.1产品开始送样，手机闪存配置进一步升级

在2月JEDEC推出UFS3.1标准后西部数据率先推出UFS 3.1产品iNAND MC EU521，写入速度高达800Mb/s。本周，铠侠也宣布开始出样UFS 3.1嵌入式Flash闪存芯片。

铠侠的UFS3.1基于BiCS 3D技术打造，容量包括128GB、256GB、512GB和1TB，较西部数据EU521丰富，主控和闪存都按照规范要求封装在11.5mm x 13mm的尺寸之内。关于性能，铠侠表示写速是UFS 3.0的2~3倍，连续读速比UFS 3.0提升30%，并引入HPB改善随机读取性能，睡眠模式下功耗更低，温度过高时可主动降低性能避免损坏元件。

自一加7 Pro打响UFS3.0的号角，从2019年下半年开始UFS3.0普遍应用于各大中高端旗舰手机上。而今年进一步升级，iQOO 3 5G在25日全球首发UFS 3.1闪存（三星提供）。

2019~2020年部分手机新品及其存储配置

来源：中国闪存市场ChinaFlashMarket不完全统计

相较于UFS3.0，UFS3.1的理论速度依然为23.2Gbps，但引入三个新特性，包括写入增强器(Write Booster)、深度睡眠(Deep Sleep)和性能调整通知(Performance Throttling Notification)，以及支持UFS主机性能增强器(HPB，Host Performance Booster)扩展。Write Booster带来最大程度的顺序写入速度提升，HPB能够进一步提升长时间使用后的随机读取性能。

分析显示，小米10 Pro的闪存配置为UFS3.0+Turbo Write ，Realme X50 Pro 的闪存配置为UFS3.0+Turbo Write+ HPB，均较标准版UFS3.0有所升级，与UFS3.1标准基本一致。

三星量产业界首款16GB LPDDR5，三大厂商竞争愈演愈烈

从2012年的LPDDR3、2014年的LPDDR4到2016年的LPDDR4x，DRAM技术在不断发展和更迭，为满足5G智能手机对高容量和高性能的要求，LPDDR5也在今年顺利实现商用，成为5G旗舰手机的标配。

目前在高度垄断的DRAM市场上，全球仅有三星、SK海力士、美光进入LPDDR5领域竞争角逐：

美光在2月6日宣布已交付全球首款量产的LPDDR5；
SK海力士表示已将新款LPDDR4X的频率提高到4667MHz，LPDDR5将从5500MHz起步，并在今年CES2020上展出了LPDDR5产品；
三星早在2018年就开始向LPDDR5标准过渡，依次开发出10nm级8Gb/12Gb/ 16Gb LPDDR5。与此同时其新一代旗舰智能手机Galaxy S20系列也在全球首发LPDDR5。

三星在2月25日宣布专为下一代旗舰智能手机的16GB LPDDR5已经开始量产，而这也是目前首款16GB大容量手机内存，进一步拓宽手机内存容量配置上限。

据三星介绍，16GB LPDDR5速率可达5500Mb/s，接近于上一代LPDDR4X（4266 Mb/s）的1.3倍。而相较于单封装8GB LDDR4X，16GB LPDDR5在容量增加一倍的同时功耗可减少20%。三星16GB LPDDR5是基于第二代10nm级工艺（1Ynm）打造，由8颗12Gb芯片和4颗8Gb芯片封装而成，以满足下一代旗舰智能手机对容量和性能的要求，更好应对未来5G和AI的发展。

据悉，三星将在其平泽工厂持续扩大LPDDR5的生产，预计今年下半年将大规模量产基于第三代10nm级工艺（1Znm）的LPDDR5产品，并提供6400Mb/s的速率，达到LPDDR5的设计极限速率。

来源：三星

高通的骁龙865处理器目前已经可以支持UFS 3.1和LPDDR5，而随着VIVO推出搭载骁龙865+UFS 3.1 +LPDDR5的旗舰机 iQOO3，带来读取、写入以及续航等方面的大幅提升，预计LPDDR5+UFS3.1将定义2020年旗舰手机顶级配置，更多手机品牌厂商有望跟进推出搭载LPDDR5+UFS3.1的手机。

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