三星华城V1工厂量产，2020年7nm及以下总产能将增加3倍

三星宣布位于韩国华城的最新尖端半导体V1工厂生产线已经开始量产，该工厂致力于极紫外（EUV）光刻技术生产，并使用7纳米（nm）以下的工艺节点生产芯片。

目前三星在韩国和美国共有6条生产线，其中包括5条12英寸生产线和1条8英寸生产线。三星最新的V1生产线于2018年2月破土动工，并于2019下半年开始测试生产晶圆，预计第一批产品将于2020年第一季度交付给客户。

三星电子公司总裁兼铸造业务主管ES Jung表示：除了先进技术和设计之外，卓越的制造也是其核心业务，随着产量的增加，V1工厂产出将增强三星应对市场需求的能力，并扩大为客户提供更优的解决方案。

随着半导体几何尺寸越来越小，EUV光刻技术的采用变得越来越重要，目前三星的V1工厂生产线正采用先进的7nm和6nm工艺技术生产移动芯片，并将继续采用更精细的技术，甚至加速3nm工艺节点的发展。

此前消息称，三星6nm工艺已经量产出货，基于全栅极(GAAFET)技术的3nm芯片也研发成功。三星3nm芯片采用的全栅极技术，该项技术相较于5nm芯片，明显缩减超过1/3的面积，而且性能提升了30%，同时功耗降低了50%，有望在2021年投入大规模量产。

根据计划，到2020年底，三星的V1工厂生产线累计总投资将达到60亿美元，预计7nm及以下工艺节点的总产能将比2019年增长3倍，将响应快速增长的全球市场需求，包括为5G、AI和汽车等下一代应用提供了最佳选择。

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