三星华城V1工厂量产,2020年7nm及以下总产能将增加3倍
三星宣布位于韩国华城的最新尖端半导体V1工厂生产线已经开始量产,该工厂致力于极紫外(EUV)光刻技术生产,并使用7纳米(nm)以下的工艺节点生产芯片。
目前三星在韩国和美国共有6条生产线,其中包括5条12英寸生产线和1条8英寸生产线。三星最新的V1生产线于2018年2月破土动工,并于2019下半年开始测试生产晶圆,预计第一批产品将于2020年第一季度交付给客户。
三星电子公司总裁兼铸造业务主管ES Jung表示:除了先进技术和设计之外,卓越的制造也是其核心业务,随着产量的增加,V1工厂产出将增强三星应对市场需求的能力,并扩大为客户提供更优的解决方案。
随着半导体几何尺寸越来越小,EUV光刻技术的采用变得越来越重要,目前三星的V1工厂生产线正采用先进的7nm和6nm工艺技术生产移动芯片,并将继续采用更精细的技术,甚至加速3nm工艺节点的发展。
此前消息称,三星6nm工艺已经量产出货,基于全栅极(GAAFET)技术的3nm芯片也研发成功。三星3nm芯片采用的全栅极技术,该项技术相较于5nm芯片,明显缩减超过1/3的面积,而且性能提升了30%,同时功耗降低了50%,有望在2021年投入大规模量产。
根据计划,到2020年底,三星的V1工厂生产线累计总投资将达到60亿美元,预计7nm及以下工艺节点的总产能将比2019年增长3倍,将响应快速增长的全球市场需求,包括为5G、AI和汽车等下一代应用提供了最佳选择。
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