三星宣布16GB容量第三代高带宽存储器HBM2E进入市场

2月4日，三星电子宣布16GB容量的第三代高带宽存储器HBM2E“Flashbolt”，成功进入市场，主要应用于高性能计算机系统，AI数据分析和最新的图形系统。

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第三代“Flashbolt”高带宽存储器HBM2E通过在缓冲芯片顶部垂直堆叠八层10nm级（1y）16Gb的DRAM裸片，然后通过“直通硅通孔”（TSV）微型凸块的精确排列进行互连，实现容量为前代产品的2倍，其性能和电源效率也得到了显著提高。

此外，第三代“Flashbolt”通过专有的优化电路设计进行信号传输，达到每秒3.2Gbps的高度可靠的数据传输速度，同时每个堆栈提供410GB/s的内存带宽。三星的HBM2E还可以达到4.2Gbps的传输速度，这是迄今为止最大的测试数据速率。在某些将来的应用中，每个堆栈的带宽高达538GB / s，这将比Aquabolt的307GB /秒提高1.75倍。

三星内存销售与市场营销执行副总裁Cheol Choi表示，“随着当今市场上性能最高的DRAM的推出，我们正在迈出关键的一步，以增强我们在快速增长的高端内存市场中作为领先创新者的作用。随着我们巩固在全球存储器市场的优势，三星将继续履行其带来真正差异化解决方案的承诺。”

三星预计将在今年上半年开始量产第三代”Flashbolt”，并将继续提供其第二代Aquabolt产品阵容，同时扩展其第三代Flashbolt产品，并将在整个高端存储器市场加速向HBM解决方案的过渡，进一步加强与下一代系统中生态系统合作伙伴的合作。

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