【简讯】AMD为Linux内核添加Zen 3代码；三星Galaxy Z海报曝光…

AMD将在今年内完成7nm Zen 2架构产品的布局，同时在年底前拿出Zen 3。按照CEO苏姿丰博士此前在脱口秀《The Bring Up》中所说的，Zen 3进展一切顺利，非常让人兴奋。

事实上，已经有曝料人士发现，Zen 3的代码日前出现在了Linux Kernel的错误检测和校正中，具体对应的是“Family 19h”，当前的Zen2是“Family 17h”。

根据早先一份出现在AMD官方视频后被移除的EPYC 7000霄龙处理器路线图，Zen 3架构依然基于7nm工艺，单路最高64核，服务器平台代号“Milan(米兰)”，原生支持PCIe 4.0。

另外，Zen 3处理器早在去年第二季度就流片了，理论上今年三季度会完全准备就绪，第四季度如期亮相。按照AMD CTO透露的信息，此次的IPC提升幅度依然有两位数。

近日，微博用户@豬會飛1995在网上曝出了一张Galaxy Z的海报。可以看到三星Galaxy Z的设计和大家想象中的样子有所出入，采用了双铰链三折叠的设计。

此前，对于三星新款折叠屏的信息一直很少。只知道它将以Z命名，并且猜测它将会采用类似摩托罗拉Razr的翻盖式折叠设计，不过这张爆料出的海报却否认了之前的种种猜测。

从海报中可以明显的看到，三星Galaxy Z采用了双铰链三折叠的模式。而且在完全折叠模式下，他就是一台单屏幕的普通手机。根据需要，可以展开两个折叠屏，实现小、中、大三种屏幕尺寸的切换。

早在去年，TCL就展示了一款类似的双折叠手机，展开后能够变成一台10英寸的平板电脑。从TCL这款实机上，可以对三星Galaxy Z有进一步的推测。它完全折叠形态下的厚度不会太低，有可能会达到20mm；此外，它的电池容量或许会非常高。

日前外媒报道称，英国的研究人员找到了一种新型的“内存”，它使用的是III-V族材料，主要是InAs砷化铟和AlSb锑化铝，用这些材料制成的NVDRAM非易失性内存具备优秀的特性，在同样的性能下开关能量低了100倍，也就是说功耗只有现有DRAM内存的1%，同时延迟可低至10ns。

总之，这种新型材料制成的内存芯片具备三大特性——超低功耗、写入不破坏数据、非易失性，其性能相比现在的DRAM内存倒是没多大提升，10ns级别的延迟跟DDR4内存差不多，但是上面三条特性，尤其是非易失性就足够让“内存”革命了。

不过，英国研发人员现在只是找到了新一代III-V材料内存的理论方向，真正大规模制造这种内存还是没影的事，就像是传了很久的MRAM、PCM、RRAM芯片一样。

1月20日，外媒TrueTech带来了一加8的真机正面谍照。从谍照上看，一加8放弃了升降式摄像头设计，而是回归了挖孔屏设计，挖孔位于正面左上角，曲面屏，边框非常窄，机身左侧为音量键，机身右侧为静音键与电源键。

此外随正面屏幕一同曝光的还有一加8屏幕刷新率设置界面，一加提供了120Hz、90Hz、60Hz三个选项，并且温馨提示刷新率越高就越流畅。

考虑到一加已经官宣了2K+分辨率120Hz OLED屏，所以该设置界面没有出现分辨率选项也意味着一加并不会强制要求用户在FHD分辨率下体验120Hz，这对于用户而言是一个好消息，这也从侧面显示出一加对于一加8续航的自信程度。

据悉，一加的120Hz屏幕通过独立芯片方案，在120Hz手机屏幕上实现高端电视的MEMC视频插帧技术，一加的MEMC技术能让原本低帧的视频动态插帧到最高120帧，让画面更加流畅自然。

最近这一个月来，内存价格已经是风云突变，1月份才过了2/3，内存价格就飘了，4Gb颗粒最高涨幅达到了17%，内存厂商的春天来了。

从集邦科技发布的内存价格信息来看，8Gb颗粒的标准型DDR4内存芯片现货价已经涨到了3.5美元，1月份以来涨了10%，而4Gb DDR4颗粒现货价全面涨到2美元上以上，1月份到现在就涨了17%，涨幅比大容量产品还要高。

内存涨价的动机在哪？1月初三星内存（还有闪存工厂）工厂遭遇断电问题，尽管三星官方表态影响不大，但是从那之后内存市场的价格走势就变了，集邦科技也将之前Q1季度合约价持平或者小幅下滑的预测修改了，认为Q1季度价格就开始小涨，部分产品涨价10%。

根据集邦的预测，PC内存在Q1季度基本上持平，服务器内存涨价幅度在5%以内，移动内存还是会小幅下降，eMCP类型的则是基本持平，GDDR显存涨价5-10%，是涨的最多的，利基型内存则会涨价0-5%左右，这是受三星停电事故影响最直接的产品。

不过内存合约价或许还可以控制在一定幅度内，现在的现货价可将飘了，很容易受到各种因素影响，涨幅也比合约价随意得多，现在17%的涨幅不算“夸张”了，毕竟去年7月份日本禁止氟化氢等半导体材料出口时，内存价格两周涨价23%。

OPPO Find X2有望在2月份发布，OPPO副总裁沈义人在微博为这款旗舰预热。1月20日，沈义人再次爆料，Find X2将搭载独家定制的大底Sensor，大到让人awesome的那种。

关于这枚Sensor，有爆料称Find X2会采用索尼定制的影像传感器，并全球首发全像素全向对焦技术，这颗索尼传感器的像素数量可能是4800万，CIS尺寸可能会达到1/1.33英寸，这意味着单个像素面积会非常大，在夜拍方面可能是顶级旗舰水准。

不仅如此，OPPO Find X2还将采用全新的双曲面挖孔屏方案，屏幕尺寸可能是6.5英寸，分辨率达到了3168×1440，刷新率达到了120Hz。

更重要的是，Find X2在2K+分辨率下也可以切换成120Hz刷新率。沈义人强调，这将是2020年最顶级的手机显示屏。

核心配置上，Find X2将搭载高通骁龙865旗舰平台，支持SA、NSA双模5G，支持SuperVOOC超级闪充。

目前尚不确定Find X2具体支持的充电功率，根据沈义人暗示的信息，Find X2的充电功率不低于65W。该机有可能会在MWC2020上亮相。