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SK海力士丢“炸弹”，宣布128层1Tb 4D NAND将提前量产，2020年大规模商用！

百家作者：闪存市场 2019-11-21 03:30:48

SK海力士宣布11月份向主要客户交付基于128层1Tb 4D NAND的工程样品，并比预期提前量产。本次SK海力士基于128层1Tb 4D NAND的样品，包括1TB UFS 3.1、2TB 客户端cSSD、16TB 企业级eSSD，计划将于2020年实现在5G手机、PC、企业级市场的商用。

△ SK hynix 128-layer 1Tb 4D NAND

△ 基于SK hynix 128-layer 1Tb 4D NAND的产品线

2019年6月，三星和SK海力士率先公开发布128层3D NAND，其中三星基于第六代（1xx层）256Gb TLC V-NAND已批量生产250GB SATA SSD。128层相较于96层3D NAND具有更高的容量，尤其在持续跌价的NAND Flash行情下，将更显成本优势。

SK海力士送样128层4D NAND产品不仅是其重要技术进展，更增强了其在NAND Flash解决方案业务中的竞争力，无疑是给其他竞争对手丢下一颗“炸弹”。除了三星、SK海力士，西部数据/铠侠、美光/英特尔等也研发了128层3D NAND，将正式打开TB级产品普及的战局。

满足5G手机需求的1TB UFS 3.1

SK海力士宣布2019年11月向主要的智能手机制造商提供基于128层1Tb TLC NAND的1TB UFS 3.1工程样品。基于SK海力士128层1Tb 4D NAND生产1TB容量，要比采用512Gb所需的Die数量减少一半，可以实现1mm的封装厚度，迎合手机极薄设计的发展趋势。

2019年三星、华为等打开5G商机，三星更引领手机存储需求向TB容量升级，预计2020年各家手机厂商将以5G手机为主打机型，而5G手机所带来的更多应用，会刺激存储需求进一步提高，SK海力士预计基于128层1Tb 4D NAND生产的1TB容量UFS产品，有望在2020年下半年在智能手机上应用。

具有业界低功耗的2TB cSSD

SK海力士2TB cSSD基于128层1Tb TLC NAND，具有1200Mbps的数据传输速率，并搭配了SK海力士控制器，以及硬件自动化技术，支持PCIe 3.0规范协议，适用于要求更高规格的超薄笔记本电脑和游戏PC。

这次交付给客户的2TB容量cSSD样品，功耗从之前96层SSD产品的6W降低到3W，实现了业界最佳的电源效率。经过客户认证后，预计该产品将从2020上半年开始供货给PC制造商使用。

16TB E1.L eSSD，下一代数据中心的新标准规范

SK海力士基于128层1Tb TLC NAND所推出16TB eSSD，是一种E1.L新规格形态，支持最新的NVMe1.4协议和PCIe接口，搭配SK海力士控制器和固件，顺序读取速度高达3400MB / s，顺序写入速度高达3000MB / s，预计该产品将于2020下半年开始量产，能存储1000多个15GB容量4K UHD电影。