三星2019年技术日都说了什么？将影响全球半导体产业发展

10月23日，三星在美国圣何塞举办的三星年度技术日中展示了其强大存储解决方案和系统逻辑产品，为5G、人工智能、云、边缘计算、物联网和自动驾驶技术加油助力。

三星半导体总裁JS Choi表示，三星致力于利用最先进的半导体技术推动关键市场的创新，从适用于5G通信技术和人工智能应用的系统逻辑产品到能够处理关键任务并减轻CPU负担的高级固态存储器（SSD），三星都决心推动实现每项功能的基础架构功能创新。

在技术日中，三星主要宣布了三项重要成果：

• 发布Exynos 990移动处理器和5G调制解调器Exynos Modem 5123；

• 9月份已开始批量生产第三代10nm级1z-nm DRAM；

• 发布首款基于UFS的多芯片封装的12GB LPDDR4X uMCP。

首发Exynos 990移动处理器和5G调制解调器Exynos Modem 5123，并有望今年年底批量生产

在技术日中，三星首次发布了新款移动处理器Exynos 990和5G调制解调器Exynos Modem 5123，均采用7nm EUV制程工艺，并有望在今年年底批量生产。这两款产品专门针对未来移动设备量身定制，可以大量应用到视频设备、人工智能应用和5G通信设备中。

三星电子系统LSI业务总裁Inyup Kang指出，“5G通信为移动通信和连接开辟了新的途径，未来人工智能有望成为人们的日常工具，三星的Exynos 990和Exynos Modem 5123非常适合5G和AI应用，旨在帮助世界上所有有野心的企业，实现其市场目标。”

Exynos 990采用嵌入式Arm Mali-G77 GPU，这是第一个基于新Valhall架构的高级GPU，可将图形性能或电源效率提高多达20％，超级强大且灵活的三集群CPU结构所带来的整体性能提高20％，该结构由两个强大的自定义内核，两个高性能Cortex-A76内核和四个节能的Cortex-A55内核组成。

另外，Exynos 990还配备了一流的双核神经处理单元（NPU）和改进的数字信号处理器（DSP），每秒可以执行超过10万亿次运算（TOP）。

5G调制解调器Exynos Modem 5123，是使用7nm EUV工艺制造的首批5G调制解调器芯片之一。它几乎支持所有网络，从5G的6GHz以下和mmWave频谱到2G GSM / CDMA，3G WCDMA，TD-SCDMA，HSPA和4G LTE，均具有出色的下行链路速度。在5G中，通过多达8个载波聚合（8CA），该调制解调器可在6 GHz内提供高达5.1 Gbps的最大下行链路速度，在毫米波中提供7.35Gbps的最大下行链路速度。

Exynos 990通过非常宽的内存带宽弥补调制解调器速度，该带宽支持高达5500 Mb / s的LPDDR5数据速率。该处理器还具有120Hz刷新率显示驱动器，即使在具有多个显示器的设备（例如可折叠手机）上，也可以减少屏幕撕裂并启用更流畅的动画，从而使游戏更加生动。板上还装有一个高级图像信号处理器（ISP），该处理器最多支持六个独立的图像传感器，并发处理三个，可以满足专业摄影需求，分辨率高达108兆像素。

三星宣布已开始批量生产业界首款基于12GB LPDDR4X和UFS多芯片封装的uMCP产品

三星市场部存储器执行副总裁Sewon Chun表示:“利用领先的24Gb LPDDR4X芯片，不仅为高端市场，也为中端智能手机设备，提供最高12GB 移动DRAM容量，三星将继续开发下一代移动存储解决方案，以支持智能手机客户，带来更好的手机体验。”

三星在推出基于单颗Die 16Gb封装12GB LPDDRX后，仅七个月就推出了12GB uMCP解决方案，通过采用最新的1ynm制程技术将4个24Gb LPDDR4X芯片和超快速eUFS 3.0 NAND存储封装在一起，新的移动存储器能够突破智能型手机目前8GB，甚至是10GB的存储空间。

三星表示，12GB LPDDR4X uMCP是4个24Gb LPDDR 4X + eUFS 3.0，10GB LPDDR4X uMCP是(2x24Gb+2x16Gb)LPDDR4X + eUFS 3.0。

随着更大尺寸显示屏和更高分辨率的智能手机趋势的不断发展，在移动数据密集型任务或多任务处理时，更多用户将受益于三星uMCP解决方案，可以支持流畅的4K视频录制，甚至可以满足中端智能手机提供人工智能和机器学习功能的应用。

三星计划迅速扩展10GB以上的LPDDR的应用，以满足全球智能手机制造商对大容量存储解决方案日益增长的需求，同时增强其在存储市场上的竞争优势。

9月份已开始批量生产第三代10nm级1z nm DRAM  

三星于2019年3月首次宣布成功研发出第三代基于1z nm 的10nm级DRAM产品，自批量生产第二代10nm级（1y nm）8Gb DDR4以来，到第三代产品批量生产仅仅20个月左右。

1z nm作为业内最小的存储节点，相较于上代1y nm生产效率提高20%以上，1z nm DRAM针对高端服务器平台开发进行了优化，最早将于明年年初为DDR5，LPDDR5，HBM2E和GDDR6产品等前沿存储解决方案系列打开大门。

三星电子DRAM产品和技术执行副总裁Jung-bae Lee表示，我们致力于不断突破技术瓶颈，朝着不断创新的方向发展，我们很高兴能为下一代DRAM发展打下基础，三星的目标是支持全球客户部署最先进的系统并促进高端内存市场的增长。

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