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点序科技将携全系列产品线亮相CFMS2019，助力存储产业发展

百家作者：闪存市场 2019-09-03 06:15:23

随着5G商用、物联网、车联网时代即将来临，必将伴随着数据爆发式增长，根据IDC统计，从2012年至今，每年数据总量年成长率均在50%左右，据英特尔预测，全球数据总量在2020年将达到44ZB。海量的数据需求推动存储设备朝着大容量、高密度、高速度的方向发展。

闪存、主控协调发展，共同推动存储设备向高容量、高密度、高速度方向发展

自2019下半年以来，全球原厂已经纷纷量产96层3D NAND，并不断扩大其生产比例，然而重技术的存储业者并不会因取得阶段性的进展而有些许懈怠。从2019年3月份起，东芝/西部数据、SK海力士、三星等原厂相继宣布成功研发堆叠高度达100+层3D TLC闪存芯片，推动单颗闪存芯片容量朝着512Gb、1Tb方向发展。

除了在存储容量上不断扩展之外，也积极探索存储密度的提高，三星、英特尔、东芝等国际大厂自去年开始就相继推出QLC系列产品，其存储密度是TLC的2倍，同时大幅降低了每bit的成本，但是由于TLC和QLC结构的限制，TLC和QLC在性能和寿命上存在一些问题，这就需要通过算法和主控优化弥补这方面的缺陷。例如，TLC产品中，通过主控和算法优化，P/E寿命由不到1000次提升到1000到2000次,同时TLC SSD性能及可靠性方面得到大大改善。

点序科技携旗下全系列主控解决方案亮相2019中国闪存市场峰会

因此，随着闪存芯片的发展，主控芯片作为指挥、运算和协调存储设备的部件，其作用也是愈加重要。点序科技作为主控芯片厂商中的一员，已经深耕主控芯片市场11年，旗下产品覆盖SSD、eMMC、SD、UFD主控解决方案。

将首次展出PCIe Gen3x4 SSD主控芯片：AS2263

在即将召开的2019中国闪存市场峰会（CFMS2019）中，点序科技会首次展出旗下最新款SSD主控芯片AS2263，支持PCIe Gen3x4，NVMe 1.3介面，超高循序读写速度分别为2100MB/s和1800MB/s，采用四通道设计，以及支持LDPC硬解码和软解码技术，高支持度与高性价比的特点，为客户带来更高的产品竞争力。

旗下AS2258 SSD主控芯片支持各原厂最新闪存颗粒

另外，点序旗下另一款SSD主控芯片AS2258已经获得SpecTek官方认证，能够支持美光96层3D NAND技术、M16、N18、Samsung V4、SK Hynix V5&V6、SanDisk/Toshiba BiCS4等新世代3D NAND Flash。除了支援3D NAND外，也已开始提供即时且具稳定性的FW来配合模组厂SSD新品快速上市。

在速度方面，AS2258 拥有接近SATA 6Gbps临界值的读写速度，以及高速4K-IOPS表现。在专业SSD评测软体AS SSD Benchmark 和Crystal Disk Mark Benchmark 评测下，读写速度分别高达550MB/s和500MB/s。

在嵌入式存储方面，点序科技推出主打的eMMC 5.1主控芯片，型号为AS2726。可支持3D TLC Flash，满足嵌入式存储应用的高稳定度需求，广泛应用于电视盒子、平板、投影仪、智能机器人以及行车记录仪等消费性电子产品终端产品。

在SD卡产品线方面，点序将在第三季度推出全新主控芯片AS2705EN，搭载新一代的错误修正引擎(Advanced ECC)，搭配动态全区平均损耗算法技术，同时支持更大区块的管理与更高的卡片容量（512GB以上），且支持次世代的 3D NAND QLC架构，藉由优化的4KB小档案管理，其随机读写效能更可达到A2 Class等级的4,000/2,000 IOPS 以上水平，同时也支持低电压讯号(LVS)、功能命令队列(Command Queue)等功能，从而提供高效能、高可靠性及长寿命的SD卡主控芯片解决方案。

此外，点序科技表示，将与旗下U盘主控厂商银灿科技协助客户将Vccq 3.3V/1.8V & 1.2V各种类Flash规划于相同PCB板，降低制造商的PCB版本控管难度与库存压力。技术方面，支援新世代TLC Flash B27 & QLC Flash N18，协助两岸存储客人消化Flash颗粒，且可用率超越其他主控芯片品牌。此外，银灿科技即将推出新世代主控芯片，支援Strong ECC Engine，强化纠错能力，增长Flash寿命。

9月19日CFMS2019汇聚存储产业链精英企业，更多惊喜，敬请期待！