酷应用

衡宇芯发布新款eMMC控制芯片SA3635：LDPC+AI

百家作者：闪存市场 2019-07-02 06:20:17

随着5G规模化商用的逐步落实，AIOT、万物互联的时代即将到来，必然会引发数据爆发式增长，相应的，必然会对存储设备的容量、速度及性能要求越来越高。当存储设备容量扩增后，怎样正确地读、写、抹除各区块的数据，并同步增加存储媒介的寿命，已经变成一个重要的课题。

衡宇芯作为国产存储控制芯片厂商，拥有与Flash大厂成功合作的经验，看到了这样的市场需求，运用内部锤炼已久的软件技术，加上经过海量训练的AI算法，和经过silicon proven 与量产的第四代SA3625 eMMC的经验累积，衡宇芯在第二季度重装发布SA3635，内建LDPC + DSP 引擎，支持HS400 传输接口，符合JEDEC eMMC5.1规格，支持3D TLC/QLC，随机读写速度达20K/12K IOPs，连续读写速度达320/200 MB/s。

3D NAND时代已经来到，容量翻倍增长的同时，寿命、数据安全问题也亟待解决，控制芯片作用日益凸显

2019年3D NAND已经成为各原厂的主流产品，且仍在持续发力研发和生产更有技术和成本竞争力的高堆叠产品。据统计，从2018下半年开始，三星、东芝、西部数据、美光、英特尔等纷纷向96层和QLC NAND发展，同时容量从512Gb向1Tb升级，SK海力士也于近日宣布量产世界首颗128层 1Tb 4D NAND。

此外，QLC架构进入大家的视野，即每个存储单元存储4位元，与TLC相比，容量可实现翻倍增长，成本也将更低，但还需要控制芯片解决一些问题，比如提高擦写寿命、纠错能力等。

随着3D NAND层数越来越高,所衍生的相互干扰与数据潜在错误率也就越来越高，衡宇芯在最新推出的SA3635 主控芯片中加入了自主知识产权的AI算法,加强ECC的修正能力，让客户在享用越来越高容量的同时，也提升数据安全性，提高客户满意度。

针对3D NAND寿命问题，衡宇芯主控芯片调适NAND通道搭配设定环境状态参数值,结合自我适应AI动态算法，可以透过训练来辨识NAND的状态并且加以预测当下NAND通道的状态参数，达到最大量化信息并提升LDPC的随机错误保护能力，辅助搭配衡宇芯独有的DSP2.0技术，产品可以有效的达到延长NAND的使用寿命。

消费类存储市场惨淡经营，衡宇芯认为5G发展与企业级市场将带动产业回暖

自2018年开始，存储产业由于原厂不断扩增产能，导致市场供过于求，NAND Flash价格大跌65%，2019年上半年仍然持续跌势，截止2019年6月底，NAND Flash价格跌幅超过30%，加之Q3旺季需求迟缓，贸易关系紧张等因素影响，业界纷纷保守看待今年行情。

面对产业挑战，衡宇芯认为，目前智能手机市场正处于4G和5G切换阶段，虽然三星、华为、一加等手机厂商纷纷推出5G手机，但旗舰机单价较高，5G生态链不够完善，市场需求不大，但随着5G应用的不断发展，并逐步扩展到中低端智能手机，预计2020年将会迎来换机潮，手机需求会出现一波上涨的行情。

目前衡宇芯的产品线主要布局消费类市场，产品涵盖eMMC controller、SSD controller、SD controller和UFS controller，衡宇芯表示现阶段公司也正在发力存储定制化市场，关注对于安全加密、特殊功能等细分的行业市场深入挖掘客户需求，填补消费类市场低迷带来的影响。

NAND Flash虽然遭遇短暂的产业挑战，但从长远来看，需求是不断增长的，存储设备向高容量、高性能发展的趋势是不变的，衡宇芯作为拥有自研IP的国产存储控制芯片厂商即时捕捉市场需求、快速反应，为市场提供不断优化的解决方案，满足市场不断增长的市场需求。