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存储芯片价格是否见底？

百家作者：闪存市场 2019-07-02 06:20:02

上周二美股收盘后美光公布FY19Q3业绩，美光股价盘后一度大涨10%，6月25日至6月28日期间涨幅18%，主要受到Q3财季业绩超预期，以及恢复对华为部分订单供应等因素刺激。与此同时，西部数据股价也反弹17%。

作为全球存储大厂之一的美光，其动向引导着市场的变化。本文将基于美光的企业情况来分析未来存储芯片的价格走向。

一、两大因素刺激，股价大反弹

在行业供过于求DRAM和NAND Flash持续跌价的不利影响下，又突然传来对华为的一纸禁令，虽然导致FY19Q3业绩同比大跌78%，但EPS仍在预期上限，美光第三财季业绩表现依然稳健，相对盈利能力持续提高。

注：时间为美光财报年。美光收入及利润水平已经回到2017财年第2财季，即2016年2月。

数据来源：美光，中国闪存市场整理。

5月16日美国商务部将华为加入实体名单，而华为又是美光最大的客户，这对于美光来说影响重大。

美光表示，DRAM和NAND的收入都受到华为销售禁令的影响，如果没有华为禁令本季度DRAM bit出货应该保持增长而不是现在的持平；
FYQ3来自华为的影响价值2亿美元产品，已计提4000万美元损失；
在两周前已恢复部分对华为的供应，但具体数量和后续情况仍在评估中。在G20峰会上，美方表示向华为出售零件的美国公司应被允许继续出售，对于美光来说短期不利因素暂时消减。

二、减产以求价格跌幅减缓

美光在上季度业绩会里就提到下半年市场会有起色，在本季度业绩会里再次强调这一点，但需求改善带来的是bit出货量在下半年高于上半年的增长。那么，如果看待DRAM和NAND Flash的价格变化呢？

在本季度中，

DRAM：DRAM ASP下降20%，bit出货量环比持平。看到来自云、图形处理器和PC的需求改善，下游需求出现复苏，FY19Q4继续保持良好势头，FY20Q1 DRAM bit出货恢复正常增长水平。
NAND：NAND Flash ASP下降15%，bit出货量环比减少5%。跌价刺激了部分需求弹性。

注：MU即美光，下同。三星并未定期公布有关数据，近期ASP来源于公司电话会议纪要。 时间为日历年。

数据来源：美光，中国闪存市场整理。

通过对比三家原厂的价格变化，可以看出美光的价格控制相对而言表现更好。值得注意的是美光本季度DRAM的价格跌幅达到20%，大于NAND Flash 的15%跌幅。作者在《WD财报亏损，纯Flash原厂举步维艰》一文中也提到，对原厂来说DRAM的利润空间要高于Flash， NAND Flash价格逼近成本价，跌幅逐渐减少。

DRAM价格跌幅大于Flash，对于DRAM收入占比高达80%的SK海力士而言，在4~6月这个季度里的业绩恐怕会更差。

需求疲软导致供过于求，价格下跌；需求回暖，依然存在供过于求（缺口减小），价格继续下跌。现在为了使供需缺口减小，缓解供过于求的市况，三星、美光、SK海力士、TMC等原厂均宣布减少产能，此次美光更是决定将NAND Flash晶圆产出减少比例从原来的5%提高到了10%，2019财年的资本开支减少到90亿美元，同时还将削减2020年资本支出。

不过美光也表示此前减产，减少供应的速度和效果并没有那么快，价格继续跌。

三、保持高库存与成本优势

在这持续跌价的惨烈市况中生存下去，比拼的就是各家的成本优势。

1、保持高库存

为了满足预期的bit需求增长，美光将在2019财年和2020财年实现更高水平的NAND库存；看到供需正趋于平衡，还计划在2019年保持高于正常水平的DRAM库存，让客户减少库存。现在库存的明显增加，主要在NAND，由于第二代闸极不会带来很大的增长，需要在技术换代时建立一些库存。本季度美光库存价值49亿美元，同比增长45.6%，环比增长11.7%。

注：时间为日历年。SK海力士的库存水位相比美光更高。

数据来源：美光、SK海力士，中国闪存市场整理。

除了由于跌价被动增加库存外，美光也看到需求主动增加库存。为什么会做出这种举动呢？

美光表示，现有库存有一个良好的成本位置，不太可能有存在废品的问题。同时与市场成本相比，NAND毛利率在25%以上，暂不用计提库存跌价损失。

2、成本优势

那么，美光生产成本的实际情况如何？

以NAND Flash为例，其FY18Q4~FY19Q3财季ASP环比变化和毛利率变化如下图。

注：时间是美光财报年。

如果生产同样数量100的货物，假定FY18Q4价格为1，那么FY18Q4时NAND生产成本为52，FY19Q3时NAND生产成本为44.88，成本下降了14%，具体如上图所示。

实际上，在过去，存储芯片在设计和制造等方面的进步使得每年都能大幅度减少成本，如果生产商的产品库存无法在有效时间内出货，那么在下个节点就会失去有效的竞争力，因为其他竞争者会以更低的价格成本提供更优质的产品。但现在，随着新技术节点的推进，每个晶圆比特增长和成本降低将变得更困难，因此新技术节点的成本降低空间与之前的节点相比越来越少。

以NAND为例，下图显示出技术进步等带来的NAND成本减少正在趋缓。同时美光的CMOS技术提供了业内最小的芯片尺寸，提高了成本竞争力。在产品组合中，持续增加1Ynm DRAM供应，扩大96层3D NAND，实现健康的成本下降。同时后端系统优化成本结构。

注：目前成本减少速度进一步放缓到5%。

来源：瑞信

注：时间是日历年。随着成本优势和运营效率的不断提高，美光在近几个季度的营业利润率表现很亮眼。FYQ3 美光DRAM的毛利率在47%，NAND Flash的毛利率在25%。

数据来源：美光，中国闪存市场整理

四、未来展望

第四财度展望：收入在45±2亿美元左右，环比下滑2%~10%；毛利率在29%±1.5%左右，环比下降7.7~10.7个百分点；运营费用约为7.85±0.25亿美元。基于约11.3亿股完全稀释的股票，预计每股收益为0.45±0.07美元。

同时美光也提到在随着云、图形处理器和PC市场需求的改善，刺激到第四财季DRAM的出货量，作者基于以上数据，推测下季度美光的DRAM、NAND价格跌幅均有望维持在10%以内，跌幅大幅趋缓。

五、总结

下半年的需求要好于上半年，但行业供应依然大于需求，只是供需缺口减小，减产效应并没有立竿见影的效果还需时间的检验。
现阶段NAND Flash的价格跌价空间有限，在这个季度美光的DRAM降价幅度要大于NAND Flash。
在G20峰会上，美方表示向华为出售零件的美国公司应被允许继续出售。那么以美光为代表的存储类公司，在条件允许范围内将可继续给华为供货。短期不利因素稍缓和。

供需关系决定价格。短期供过于求的缺口逐渐减小，价格跌幅趋缓。放眼未来，在人工智能、自动汽车、5G和物联网等广泛长期趋势的推动下，新经济中的数据价值将推动大量内存和存储密集型应用程序的长期增长。

存储行业具有超强的周期性，价格充满大涨大跌的弹性变化，同时随着市场份额逐渐集中，并未减缓价格剧烈动荡，反而进一步加剧，每一轮价格高峰和低估的巨大振幅都要高于前一轮。在不久的将来，以长鑫存储和长江存储为代表的国产存储势力也会加入到这种战局中，更需要做好充足的战斗准备。在这种变化中，谁能把握住趋势、不断增加竞争力和保持成本优势，才能走到最后。