产能、良率将大幅提升！DRAM制程升级，并将用上EUV设备

三星暂定2019年11月开始量产采用EUV技术的1znm DRAM，量产初期将在华城17产线，不过由于与晶圆代工事业部共享EUV设备，所以初期使用量不大，之后平泽工厂也会启动EUV DRAM量产。

 

三星这一举措可助力降低DRAM生产成本，提高市场竞争力。自2019年以来，消费类NAND Flash价格跌幅高达30%，持续下滑的市场价格给存储厂商带来了不少困扰，再加上近日DRAM市场也陷入杀价战，让企业运营再现危机。

 

另一方面，三星、美光等在2019上半年宣布DRAM技术向1znm工艺发展，下半年将陆续进入量产阶段，然而随着制程的微缩，导致DRAM良率低下，出现瑕疵品的几率增加，若采用EUV设备，可提高DRAM良率。

EUV制程采用波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻，相较于将蚀刻液喷洒在半导体表面，利用蚀刻液与半导体基底化学反应的DUV，蚀刻的各向异性明显改善，对于精确度要求较高的集成电路，EUV使电路分辨率和良率得到极大提升。

 

荷兰光刻机大厂ASML曾表示，2017年下半到2018年初，EUV光刻机每小时晶圆吞吐量约125片，而ASML即将在下半年出货的新一代EUV光刻机，芯片吞吐量已经可以达到每小时170片水准，这将使产能增加36%。

ASML计划在2019年出货30台EUV光刻机，同时正准备将NXE 3400C EUV光刻机推广到DRAM产业，这与DRAM原厂想法不谋而合。

 

三星在2019年3月宣布开发出第三代10纳米级1znm 8Gb双倍数据速率的DDR4，9月即将启动第三代10纳米级1znm DRAM的量产，在不使用EUV设备下，1znm较1ynm DRAM的产能提高20%，速度与功耗表现亦有所提升。

 

三星计划2019年11月开始量产采用EUV技术的1znm DRAM，采用EUV技术的区间是1个Bitline Pad(BLP)，后续计划在1a制程增加到4个、1b制程增加到5个，逐渐扩大EUV技术生产的区间。

 

除了三星，美光计划将在2019年底在日本广岛B2新工厂量产1znm LPDDR4，在1znm工艺以后，还将有1αnm、1βnm、1γnm细微化的工艺，所以美光也在评估使用EUV设备带来的DRAM成本效益。SK海力士也有意以EUV制程生产DRAM，积极发展技术。

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