【简讯】旋转镜头：华硕ZenFone 6发布；国产内存年内量产…

5月17日凌晨，华硕正式推出年度旗舰ZenFone 6。据悉，华硕ZenFone 6采用了6.4英寸无刘海、无水滴、无挖孔的真全面屏形态，屏幕尺寸为6.4英寸屏幕，屏幕纵横比为19.5:9，屏占比达到了92%。

该机创新性使用了旋转摄像头方案，后置摄像头通过电动模块旋转180°升起即可变身前置摄像头。官方介绍，华硕ZenFone 6电动部件可连续旋转100000次，检测到处于跌落状态时，它的摄像头模块会自动归位以免受到外力损伤。

相机方面，华硕ZenFone 6后置4800万主摄+1300万超广角双摄组合，其中4800万主摄支持4像素合一，从而输出1200万像素的高质量夜景照片，支持60fps 4K视频拍摄，支持480fps 720p慢动作视频拍摄。

核心配置上，华硕ZenFone 6搭载高通骁龙855旗舰平台，提供6GB+64GB（499欧元）、6GB+128GB（559欧元）和8GB+256GB三种存储组合，电池容量为5000mAh，保留了3.5mm耳机孔，支持背部指纹识别。

近日，爆料人APISAK分享了两颗新品，似乎新APU处理器（代号Picasso）终于要和我们见面了。

参数方面，Ryzen 5 3400G为4核8线程，主频3.7GHz，加速4.2GHz；Ryzen 3 2200G为4核4线程，主频3.6GHz，加速4.0GHz。换言之，分别对比第一代锐龙APU，基频提升了100MHz，加速频率提升了300MHz。

不过，其它规格尤其是GPU方面的细节还不清楚，外界普遍猜测会和上代一致，即Ryzen 5集成Vega 11（704SP）、Ryzen 3集成Vega 8（512SP），功耗均为65W。

由于AMD的CPU路线图中并未出现新APU的身影，具体的上市时间仍是谜。

三星的B-Die核心内存芯片在高端玩家中很受推崇，因为超频性能很好，因此也成为超频及游戏玩家追逐的对象，不少内存条都以三星B-Die核心为卖点做宣传。不过三星日前已经宣告停产B-Die核心，接替它的将是新款A-Die、E-Die。

新的颗粒主要变化就是容量更大，单颗可以做到16Gb(2GB)、32Gb(4GB)，最高能做成单条32GB大容量，相比之下B-Die只有单颗8Gb(1GB)，单条容量最高只能到16GB。

日前，三星表态32Gb颗粒的DDR4内存已经出样给客户，但因为目前的JEDEC标准中只定义了4Gb、8Gb及16Bb核心的DDR4内存规范，所以三星实现32Gb核心的DDR4内存需要使用DDP双芯片封装技术。

从三星公布的信息来看，其32Gb A-Die核心有两种不同的类型，一种是16banks，2Gbx8 78Ball BGA封装，这种内存将会被内存控制器视为2组存储设备。

还有一种是8banks的，为1Gbx16架构，96ball BGA封装，这种内存会被内存主控识别为1组存储设备。

全新系列Reno发布之后，OPPO又马不停蹄的准备了另外一款新机——OPPO K3，号称“硬核少年”。据悉，新机将于5月23日发布。据网友猜测，该系列除了与高达定制的卖点外，还将继续主攻性价比路线。

今天，OPPO官方公布了K3的亮相核心配置：骁龙710、升降全面屏。同时，新机的官图首次亮相，前置镜头采用升降式设计，整体设计风格较为圆润，后置双摄竖形居中，背面印有OPPO的logo。

从配置来看，OPPO K3与此前发布的realme X颇为类似，同样都是骁龙710、升降镜头的方案。不过，有了OPPO品牌加持之后，OPPO K3的定价应该会高于realme X。

此前，有微博数码博主曝光了OPPO与高达联名定制的新机（应该就是基于OPPO K3），正面居中挖孔设计，机身背部、壁纸以“机动战士高达”为主题风格进行设计，后置双摄像头。

预计，这一次的OPPO K3有望主攻1000-2000元价位。

目前国内从事内存研发、生产的主要是是福建晋华及合肥长鑫，前者投资规模高达370亿元，后者投资规模不低于72亿美元。

根据长鑫公司之前公布的计划，合肥长鑫的一厂厂房已经于2018年1月建设完成，设备也开始安装。根据计划，长鑫将于2018年年底推出8Gb DDR4工程样品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，产能将达到2万片一个月。从2020年开始，公司则开始规划二厂，2021年则完成17nn的研发。

在日前举行的GSA+Memory存储峰会上，长鑫存储的董事长兼CEO朱一明发表了《中国存储技术发展与解决方案》主题演讲，其中提到了长鑫DRAM内存的技术来源——已破产的奇梦达公司。

通过与奇梦达合作，将一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据收归囊中，这也是公司最初的技术来源之一。朱一明表示长鑫的内存研发是站在巨人肩膀上，尽管如此国内研发DRAM内存依然花费了极大的代价，累计研发费用高达25亿美元，建成严谨合规的研发体系和独有技术体系。

长鑫的目标是今年内实现国产内存的大规模生产，目前制造工艺进展顺利，已持续投入晶圆超过15000片。

5月17日消息，据媒体报道，苹果自研5G芯片可能要等到2025年才能准备就绪，这意味着接下来几年苹果仍将持续与高通合作获得5G芯片。

报道指出，苹果决定与高通恢复合作关系的主要原因是英特尔5G芯片方案未能满足苹果要求，iPhone XS、iPhone XR和iPhone XS Max使用的XMM 7560基带效能表现不及预期，因此苹果不得不重新考虑与高通合作。

目前苹果公司已经与高通签署合作协议，同时撤销在全球范围内对高通的诉讼，苹果公司将向高通支付一笔费用，取得高通技术授权，预计今年或者明年将会看到内置高通基带的iPhone上市。

同时报道指出，苹果也在密谋自研5G芯片，考虑到研发到商用需要一段时间，苹果可能要等到2025年才能推出首款搭载自研5G芯片的产品。