【简讯】AMD敲定7nm Navi显卡发布时间；红米K20内部代号大魔王…

日前，英特尔联合欧洲多个大学、研究机构、安全软件公司的研究人员公布了新的MDS微架构数据采样漏洞，这次发现的安全漏洞虽然也是基于侧信道攻击的原理，不过实现方式不同，有四种不同的攻击方式。

对普通人来说，MDS漏洞的关键是到底有多大影响？别担心了，这次漏洞是Intel联合安全团队主动公开的，Intel之所以这么做显然是成竹在胸了，因为他们已经在八代、九代酷睿及第二代至强可扩展处理器上物理修复了MDS安全漏洞。

此外，这次修复对处理器的性能影响也极为有限，特别是个人使用的消费级处理器上，而对数据中心处理器的性能影响也很小，除非是禁用HT超线程。

针对MDS漏洞问题，英特尔官方声明如下：

“关于微架构数据采样（MDS）安全问题，我们近期的很多产品已经在硬件层面得以解决了，包括很多第8代和第9代英特尔酷睿处理器、以及第2代英特尔至强可扩展处理器系列。对其它受影响的产品，用户可以通过微代码更新、并结合今天发布的相应操作系统和虚拟机管理程序的更新获取安全防御。我们在官方网站上也提供了更多信息，并一如既往的鼓励大家保持系统的及时更新，因为这是保持安全的最佳途径之一。我们在此要感谢那些与我们通力协作的研究人员、以及为此次协同披露做出贡献的行业合作伙伴们。”

以下是已经修复MDS漏洞的处理器型号列表：

继5月27日台北电脑展开幕演讲后，AMD5月14日正式宣布，定于6月10日下午15点（北京时间6月11日早6点），即E3 2019开幕前一天，在洛杉矶举办“Next Horizon Gaming”活动，且对外直播。

AMD表示，活动由Geoff Keighley主持，AMD CEO苏姿丰将登场主讲，此次的主角是AMD的游戏新品，它将服务于未来数年的PC、主机和云游戏平台，毋庸置疑，几乎可以确认就是7nm Navi（仙后座）显卡了。

由此不难猜测，台北电脑展的主角可能会限制为CPU产品（三代锐龙、二代霄龙），而GPU的故事留到E3活动上在娓娓道来。

在前不久的财报会议中，AMD曾表示，Navi架构GPU将于三季度上市。看来，E3仅仅是纸面发布，最快买到新显卡也得7月了。

昨晚，一加在海外先行举办发布会，正式带来了新旗舰机一加7 Pro，采用6.67英寸2K分辨率（3120x1440，19.5:9）的Fluid AMOLED曲面显示屏，像素密度516ppi，屏占比93%，最高90Hz刷新率、800尼特亮度，支持HDR10/10+。

前置摄像头被放置在顶部的弹出式升降结构中，1600万像素，单次弹起用时0.53秒，可承受23公斤重量。

后置升级为竖排三摄，分别是4800万主摄（索尼IMX586，7P，F/1.6光圈）、1600万广角和800万像素长焦（3倍光变，F/2.4，OIS），夜景2.0技术，DxO综合评分111分。

基本配置上，一加7 Pro搭载骁龙855芯片，4000mAh电池，配合Warp Charge 30W快充，20分钟可补充一半电量。另外，一加7还拥有0.21秒识别速度的屏幕指纹、全球首商用UFS 3.0闪存、横向线性马达、杜比立体声双扬声器、液冷散热系统等。

一加7 Pro定于5月17日开卖，提供灰色和蓝色可选。其中6+128GB北美起步价669美元，8+256GB为699美元，12+256GB顶配为749美元（仅蓝色）。一加7系列国行发布会将于5月16日在北京举行，届时国行售价将会公布。

在三星晶圆代工SFF美国分会上，三星宣布四种FinFET工艺，涵盖了7nm到4nm，再往后则是3nm GAA工艺。

目前先进半导体制造工艺已经进入10nm节点以下，台积电去年率先量产7nm工艺，但没有EUV光刻工艺，三星则选择了直接进入7nm EUV工艺，进度上要比台积电落后一年，不过三星现在要加速追赶了。

除了7nm FinFET工艺之外，三星还规划了另外三种FinFET工艺——6nm、5nm、4nm，今年将完成6nm工艺的批量生产，并完成4nm工艺的开发。

今年4月份将完成5nm工艺的产品设计，下半年准备就绪，2020年三星将量产5nm工艺，这个进度差不多就跟台积电量产5nm工艺的时间同步了，后者也是2020年量产5nm工艺。

4nm工艺之后三星将进入3nm节点，官方称之为3GAE工艺，不过3nm工艺时代不再使用FinFET晶体管，而是使用全新的晶体管结构——GAA（Gate-All-Around环绕栅极）晶体管，通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。

虽然三星官方没有明确3GAE工艺量产时间，不过2021年量产是大概率事件。与7nm技术相比，三星的3GAE工艺旨在将芯片面积减少45％，功耗降低50％或性能提高35％。

日前，OPPO副总裁沈义人透露，“实锤一下，上半年我们还有一台手机要发布，到时候买了的就偷偷暗爽吧”，引发网友期待。

今天上午，沈义人在微博上公布了新机的预热海报，并称“藏不住了”，海报中出现了“前方高能”的文案。

据悉，OPPO已经与高达达成合作，将推出定制手机、移动电源、保护壳、耳机等产品。

据微博数码博主@i冰宇宙 爆料，OPPO接下来要发布的就是与高达联名定制的新机，正面居中挖孔设计，机身背部、壁纸以“机动战士高达”为主题风格进行设计，后置双摄像头。据悉，该机将隶属于K系列。

@OPPO智美新品 官微则转发沈义人微博透露：“这次的合作不止一件事，大家猜猜还有什么？”不出意外的话，除了定制手机，OPPO还将推出相关配件产品。

美光等厂商在3D NAND闪存技术上还是处于领先地位，但是据TrendForce报道称，长江存储将在今年年底前大规模生产64层Xtacking 3D NAND存储芯片，到2020年会直接提供128层3D NAND产品，以缩小与其他厂商的差距。

TrendForce报道称，在一季度长江存储就已经向部分客户和控制器厂商提供了样品，而且长江存储武汉工厂已完成建设，不过仅为32层闪存产品提供有限的产量，而在生产64层闪存芯片时会提高产量并扩大产能。在2020年时，计划将晶圆产量提高到60K/m。不过相对于竞争对手的200K/m还有差距，但这还是会给闪存芯片市场带来一定的冲击。

同时在2020年，长江存储还计划跳过72层/96层技术，直接生产128层的3D NAND闪存，以此追上美光、英特尔、海力士等竞争对手，而这些厂商计划在2020年推出128层闪存芯片。

长江存储在技术上也在追赶。去年长江存储推出了Xtacking 3D NAND堆栈结构，这种结构相对于传统闪存有极高的I/O速度，更高的密度以及衍生品开发更容易的优势。

这两天，红米新旗舰的宣传非常强势，不仅命名直接从K20起步，还号称旗舰杀手，直言要认真和华为学营销。现在，红米手机官方还公布了K20的全新形象和内部代号——大魔王。

红米官微表示：“Redmi K20不仅有旗舰杀手的实力，更是不可逾越的存在，Redmi K20#内部代号「大魔王」”。看来，这次红米K20是要和荣耀20死磕到底了。

据悉，Redmi K20系列准备了两款旗舰机，包块K20、K20 Pro两款新品。K20 Pro将搭载骁龙855平台，采用3200万弹出式前置，无刘海全面屏，起步存储6+64GB，最高8+256GB，后置三摄组合为4800万像素主摄、800万广角和1600万像素长焦。