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长江存储64层3D NAND产能将在年底释放，领军加速存储国产化进程！

百家作者：闪存市场 2019-04-15 10:25:14

据Nikkei Asian Review消息称，长江存储将在年底前在武汉存储基地大规模生产64层3D NAND。长江存储技术有限公司首席技术官程卫华在采访时表示，长江存储大规模生产NAND闪存的计划进展顺利，没有任何问题。目前在中国政府的支持下，长江存储正在武汉建设一座240亿美元的半导体工厂。

长江存储正在NAND Flash领域取得稳定进展，去年发布了创新的Xtacking^TM架构，通过这一架构，周边的控制电路可以随意选择任何的逻辑电路的先进工艺，这样周边电路的速度可以没有特别大的限制往上提高。虽然长江存储比较晚进入这个行业，但是在64层这个工艺节点，采用Xtacking^TM架构跟传统架构的96层相比，容量并未低太多，大概15%左右。

长江存储专注于3D NAND研发，2018下半年发布突破性技术Xtacking^TM，2019年有望在年底前量产64层3D NAND，正紧追国际一线大厂的步伐。当前，三星、东芝/西部数据、美光/英特尔、SK海力士等主流量产的是64/72层3D NAND，并逐步提高量产96层3D NAND，三星、东芝/西部数据甚至已经开始规划100层以上的3D NAND 技术，传西部数据和东芝已开发出128层512Gb 3D TLC NAND裸片，被命名为BiCS5。

虽然与国际大厂相比，长江存储量产64层3D NAND仍然落后，但是差距已大幅缩小至两年以内，而且长江存储已规划在2020年跳过96层直接进入128层3D NAND，将展现国产自主研发技术的突破性成长。

在产能方面，长江存储64层3D NAND预计将在武汉存储器基地生产，该项目总投资额240亿美元，将建立三座全球单座洁净面积最大的3D NAND厂房，一座总部研发大楼和其他若干配套建筑，一期工厂是在2017年新建，并在2018下半年小量生产32层3D NAND，满载月产能可达到15万片。为进一步扩大武汉存储基地生产规模，已启动武汉存储基地二期扩产项目，项目投资17.8亿美元。

存储国产化目标正在不断的推进，但从2018年开始，NAND Flash表现大跌，DRAM价格也在下滑，其主要是因为产能供给过剩，外界担心长江存储以32层技术为奠基石，将从64层技术节点开始3D NAND产能大开，再加上与国内产业链企业扩大存储国产化应用，恐进一步加剧市场供应过剩的情况。

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