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供应过剩，传三星大幅缩减DRAM、NAND Flash库存量

百家作者：闪存市场 2019-01-05 01:00:58

韩媒每日经济新闻(MK NEWS)日文版3日报导，三星电子将大幅缩减DRAM、NAND Flash等半导体库存。为了因应截至去(2018)年第3季为止的半导体绝佳需求，三星将半导体库存量维持在1.5-3个月左右水准，不过自去年第4季开始，因供应过剩导致存储器景气大幅减速，也让三星决定缩减库存量。

据多位三星相关人士指出，三星目前将DRAM、NAND Flash库存量分别维持在1.5个月(45天)、3个月(90天)，不过三星内部已敲定方针，计划将DRAM、NAND Flash库存量大幅缩减至0.5个月。

因半导体从接单到生产需要一定的时间，因此在需求旺盛时期，为了因应来自客户的急单，让三星增加库存量，不过自去年第4季以来，因DRAM价格下滑、半导体市场疲软，也让三星转换方针，缩减库存量。

根据三星公告的资料显示，去年第3季时三星的半导体库存额为10兆4542亿韩元，三星DRAM全球市占率达45.5%、NAND Flash为35.6%，皆高居全球首位。

日本电子情报技术产业协会(JEITA)2018年11月27日发布新闻稿指出，世界半导体贸易统计协会(WSTS)在最新公布的预测报告中，将2019年全球半导体销售额成长率预估值自2018年6月预估的年增4.4%下修至年增2.6%，年增幅将创3年来(2016年以来、年增1.1 %)新低水准。

其中，WSTS预估2019年Memory销售额将年减0.3%至1,645.43亿美元，将3年来首度陷入萎缩，且远逊于6月时预估的年增3.7%。

日经新闻2018年10月5日报导，韩国投资证券表示，三星电子2018年半导体设备投资额约27兆韩元，持平于2017年水准，不过2019年预估将较2018年减少约8%。韩国投资证券预估，三星2019年对NAND Flash的投资虽将有所增加、不过对DRAM预估会减少2成以上。

日经新闻2018年10月31日报导，全球第2大NAND Flash厂商东芝存储(TMC)和其合作伙伴Western Digital(西部数据)计划将双方共同营运的四日市工厂部分制造设备导入时间进行延后。报导指出，四日市工厂内的第6厂房(Fab 6)已完成厂房的兴建，不过原先预计在2018年内搬入的设备将延后数个月时间，于2019年春天才会进行搬入，主因智能手机出货量低迷，导致存储器价格下滑，因此将放缓增产速度。