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又一台高端光刻机进驻国内！扩产大潮迎面袭來，DRAM价格崩跌一线间

百家作者：DeepTech深科技 2018-12-22 07:21:25

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全球半导体大厂在国内投产的技术工艺越来越高端，其中，三星电子（Samsung Electronics）和英特尔（Intel）分别在西安和大连提高 3D NAND 技术水平，而台积电南京厂的 16 nm 也进入量产，SK 海力士则是将 1x nm 的 DRAM 技术落地无锡，并为国内带来 ASML 最先进的光刻机 NXT：2000，再度打破高端光刻机不能进入国内的说法，但也为未来 DRAM 价格走势埋下崩跌的隐忧。

ASML 是全球光刻机龙头，但一直被高端机台不能进入国内的说法所困扰着。从 2018 年初起，ASML 陆续将一系列的高端光刻机带到国内市场，以行动打破此说法，目前除了中芯国际已预订一台极紫外线（EUV）光刻机将于 2019 年交货外，长江存储的武汉 12 寸厂、 SK 海力士的无锡 12 寸厂等，都陆续有高端光刻机进驻，协助国内半导体提升技术制造的水平。

（来源：ASML）

早在 2018 年 9 月在无锡举行的集成电路制造年会中，ASML 中国区总裁沈波即预告，最先进的 NXT：2000 机台很快就可以在国内看到，而该说法也在日前 SK 海力士于无锡厂举行的进机典礼中得到证实。

ASML 最先进的 NXT 2000 机台是 DUV 光刻机，用来生产逻辑工艺的 7 nm 和 5 nm 芯片，对标到 DRAM 存储工艺技术，就是生产 1x nm 工艺，而 SK 海力士于无锡厂是一座 12 寸 DRAM 厂，即将把最高端的 1x nm 技术引入国内。

（来源：ASML）

如果将国内半导体制造的历史分为三个阶段来看，1997 ~ 2000 年是国内半导体厂快速诞生期，包括 1997 年成立的华虹 NEC，以及 2000 年成立的中芯国际，都是国内半导体制造厂的先驱。

进入 2005 年后，则是另一波外资企业进驻的高峰期，最早的一批就是海力士与意法半导体合资成立的无锡 8 寸厂，之后意法半导体退出，SK 海力士也将无锡厂改为 12 寸的 DRAM 生产线。

2007 年英特尔则是在大连成立芯片组装厂，然该厂在近几年也陆续改为高端的 3D NAND 生产线。美光也在 2007 年左右于西安成立芯片封装厂，三星更于 2012 年在西安建立 NAND Flash 生产线，现在西安已经成为三星在全球最重要的 3D NAND 生产基地之一，由此可见，全球存储大厂在国内的布局已经有初步的雏形。

SK 海力士为卡位国内庞大的 DRAM 内存市场，大力加码无锡 12 寸生产线，或许是趁着国内两大 DRAM 自制阵营合肥长鑫和福建晋华的技术都还未成气候前，抢先一步扩产，事实上，福建晋华的小小火苗，已经早一步被美光“捻熄”。

SK 海力士在无锡的第二期扩产总投资高达 86 亿美元，兴建完成后，估计月产能将达 20 万片 10 nm 产能，预计年销售额由目前 19 亿美元，增加至 33 亿美元。

SK 海力士在国内的布局还不仅如此，更计划把逻辑工艺的 8 寸生产线移到无锡，主要是看好国内人工智能、物联网、车用电子等相关芯片的热络需求，该厂计划在 2019 年下半年正式完工。

（来源：SK 海力士）

不过，SK 海力士在晶圆代工领域的势力一项偏弱，想藉由国内的芯片设计业者之力来突围，实际效应待观察。

在大厂带头扩产下，未来的 DRAM 价格恐有近一步血流成河的征兆，事实上，该市场已经濒临寒冬。

根据市调机构 TrendForce 统计，DRAM 价格包括 PC 用的标准型、服务器、利基型、手机用的各类内存芯片不但都转跌，2018 年 11 月合约价意外出现二次下修，预计 2019 年第一季的合约价格跌幅将继续扩大。

其中，手机用的移动存储芯片受到新一代 iPhone 的出货高峰已过，Android 手机在通路端的整机库存偏高，目前都处于库存去化阶段，而 2019 年智能手机的需求量将较 2018 年衰退，因此，手机存储芯片后市需求持续看弱。

服务器市场遇到的状况也类似，相关存储芯片在市场上的库存水位偏高，加上进入淡季，可以看到在 32 GB 的主流模组上，供应商明显地积极砍价求售。

日前美光股价大跌，反映存储芯片价格未来有隐忧。美光首席执行官 Sanjay Mehrotra 也表示，经历过去两年的强劲成长后，现在数据中心的客户已经进入库存调整期，预期这样困境会持续好几季。

根据世界半导体贸易组织（WSTS）的统计，原本预期 2019 年市场产值可以达 5,020 亿美元，较 2018 年成长 5.2%，现在下调到至 4,901 亿美元，较 2018 年仅成长 2.6% 左右，当中，存储芯片的跌价就是导致全球半导体产值增幅缩水的主因。

事实上，存储价格已经维持两年的旋风涨势，2017 年较 2016 年大涨 61.5%，2018 年则是较 2017 年上涨 33.2%，然进入 2019 年，预计存储价格恐再度回到许久未见的负增长走势。

行业人士都心知肚明，美光、三星、SK 海力士这些存储大厂都非常害怕国内业者自己掌握技术和生产制造，因为所有的进口芯片中，存储芯片占据最大量，因此，美光狙击福建晋华、紧盯合肥长鑫，而三星是用 3D NAND 卡位国内市场，SK 海力士则是扩大无锡厂的高端 1x nm 芯片产能，国内市场已然成了国际存储大厂既爱又怕的软肋所在。

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