SK海力士M16新厂开建,无锡工厂移入机台,DRAM市场堪忧!
SK海力士于19日在利川总部举行了“M16奠基仪式”,将建造满足未来需求的先进半导体工厂,该工厂计划于2020年10月完工,至于生产哪类和尺寸的产品将根据市场情况和技术发展而定。
SK海力士集团董事长崔泰源表示,“SK海力士通过努力克服困难的时期,并取得了一定的成功,并希望通过先进的技术和M16新工厂,续写成长佳绩。“
SK海力士CEO 李锡熙表示:“SK海力士将把M16工厂建设成一个先进的基础设施,凭借创新和技术创造一个新的未来。”
因为智能型手机、大数据等需求强劲,以及未来人工智能趋势的发展,市场对DRAM和NAND Flash需求持续增加。在2019年高端手机市场的Mobile DRAM将由6GB/8GB向8GB/12GB升级,带动需求持续增长。值得注意的是,目前DRAM价格也在下滑,再加上新工厂的产能增加,未来市场如何发展,引市场业内人士高度关注。
SK海力士主要在韩国利川和中国无锡工厂生产DRAM,新工厂M16是在利川新建M14工厂之后的第三座Fab工厂,可能将用于生产DRAM,或者跟M4一样是生产NAND Flash和DRAM的混合工厂。SK海力士也表示M16工厂规划将视未来需求而定。
SK海力士中国无锡包括一期和二期工厂,二期工厂将在2018年底完成清洁室的安装,预计2019年即可进入投产阶段。最新消息,中国首台ASML NXT2000i正式搬入SK海力士位于无锡的工厂。
另据Digitimes报道,韩国将与民间企业合作,从2019年起在未来10年内投资120兆韩元,打造第一个半导体生产园区,吸引集成电路元件制造商(IDM)与材料、零组件、设备厂商进驻。目前以SK海力士为主,推动选址、规划、建设、招商、制造等各个流程,为韩国半导体产业带来更高竞争力并且创造就业机会。
SK海力士子公司SK Hynix systemic,还将与美国微芯科技(Microchip Technology)子公司SST(Silicon Storage Technology)进行策略合作,将SST嵌入式SuperFlash技术导入SK Hynix systemic 110纳米CMOS平台,提供具成本效益的低功率嵌入式存储解决方案。
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