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存储业务压力大，三星2020推3nm工艺，提高晶圆代工增加获利

百家作者：闪存市场 2018-12-12 08:28:26

2018年NAND Flash价格持续大跌，DRMA涨价也告一段落，价格也在持续下滑。市场预计NAND Flash和DRAM跌价将在2019上半年持续发酵。在价格下滑的冲击下，存储厂商营收将受到影响，再加上智能型手机需求下滑，三星正在提高晶圆代工的竞争力，3nm工艺已经完成了性能验证，将于2020年大规模量产。

美光曾在财报中预估2019年DRAM产业bit产出量增长20%，NAND产业bit产出量增长35%-40%。NAND Flash和DRAM供应增加是导致价格下滑的主因。花旗更是预估2019年DRAM价格至少会降价30%。

台积电大约占据全球晶圆代工市场60%的份额。在3nm节点上，台积电曾表示将投资200亿美元左右建3nm圆晶厂，预计到2022年才会量产3nm制程技术。

为了弥补存储器降价带来的冲击，三星2019年将加强晶圆代工业务。三星晶圆代工曾在32nm、14nm及10nm节点率先量产，虽然目前在7nm节点上落后了台积电，但三星已投资56亿美元新建晶圆厂，计划2019下半年开始量产7nm以下制程技术，并推进3nm工艺，将在2020年大规模量产，届时有望赶超台积电，提高市场竞争力。

另据知情人士透露，三星电子将更换其5G网络设备业务负责人，该部门目前正在快速扩大全球份额，三星的目标是两年内赢得全球20％的5G设备市场。

目前该业务负责人由Kim Young－ky担任。Kim Young－ky卸任后，将继续担任该公司顾问一职。三星将在下周公布年底人事变动时宣布该消息。