英特尔:14nm到10nm节点确实面临挑战,7nm有望准时推出
据DIGITIMES报道,英特尔(Intel)内部10纳米制程投入量产进度拖延多年,预计2019下半年才有望正式投入量产。对此英特尔首席工程长Murthy Renduchintala指出,英特尔明显低估了从14纳米微缩至10纳米节点所面临的挑战。即使如此,Renduchintala对于英特尔推进7纳米进展仍深具信心。
针对外界关注的10纳米制程量产时间,Renduchintala不断重申,英特尔桌上型PC用处理器将在2019年12月左右采10纳米制程生产的主张。Renduchintala指出,尽管英特尔在让10纳米制程节点能正常运行上遇到了困难,不过英特尔对10纳米节点的功耗、效能及晶体管密度目标依然不变。
英特尔在朝10纳米微缩上过于积极,也成为该公司10纳米制程一大问题。英特尔尝试将比例因子缩小至2.7倍,且一直试图以传统的曝光技术来实现。7纳米节点方面,英特尔将采用更新式极紫外光(EUV)微影技术来曝光其极小的晶体管,且在微缩上也将回到采2倍的比例因子。
针对EUV技术,近日全球最主要EUV设备供应商ASML副总裁Anthony Yen透露,该公司已开始开发更新一代EUV设备「ASML 5000」。ASML 5000将大幅改良英特尔、台积电和三星电子正在采用的ASML 3400系列EUV设备。
与此同时,ASML也正在改良ASML 3400系列设备的功能,将于2019年下半发表新版ASML 3400C,每小时晶圆处理数量将超过170片。不过,由于该公司一家合作电子零组件供应商Prodrive厂房失火,ASML恐将延后2019年部分EUV设备交货时间。
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