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SK海力士4D 96层 NAND宣布量产，后期产能或将持续扩大

百家作者：闪存市场 2018-11-05 02:29:33

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SK海力士宣布推出全球首款96层512Gb CTF 4D NAND芯片，采用3D CTF (Charge Trap Flash)设计，搭配PUC（Peri.Under Cell）技术。SK海力士将在今年内开始初步量产96层4D NAND，单颗Die容量512Gb ，相当于64GB存储。

SK海力士首次将3D CTF与PUC技术结合在一起，这种技术与将3D浮栅和PUC集成的方式有所不同。采用这种技术可获得最好的性能和产能。SK海力士将该产品命名为“基于CTF的4D NAND芯片”，以区别于当前的3D NAND技术。

与SK海力士72层512Gb 3D NAND相比，4D NAND芯片尺寸减少了30％以上，每片wafer的bit生产率可提高49％。写入速度提高30％，读取性能提高25％。此外，数据带宽增加一倍。随着多栅极绝缘体结构的引入，在1.2V工作电压下，其数据I / O速度可达1,200Mbps。

今年8月，SK海力士已经宣布将通过各种4D NAND应用来提高解决方案的市场竞争力。

最重要的是，凭借96层512Gb 4D NAND，SK海力士将在今年推出搭配自家控制器和固件的1TB消费级SSD。企业级固态硬盘将于2019下半年推出。SK海力士还将在2019年上半年推出UFS 3.0，以响应高密度移动设备市场。此外，SK海力士还将于2019年推出超高密度96层1Tb TLC和QLC。

SK海力士闪存营销主管J.T. Kim 表示：“最新推出的基于96层CTF的4D NAND具有业界最高的成本竞争力和性能，将成为公司闪存芯片业务的里程碑，我们计划在今年内开始大规模量产，并进一步扩大M15工厂产能，以积极响应客户和市场的需求。”

除了SK海力士，三星、东芝/西部数据、美光/英特尔等阵营也均加快96层3D NAND技术的推进速度，且进入QLC元年。现在各家原厂正在抢占先机，但是新技术总会遇到过渡不顺，初期量产良率偏低等问题，就让我们拭目以待吧！但可以预见的是，未来NAND Flash的bit供应量将会进一步增加，TB时代也已经到来。