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三星宣布7nm LPP EUV、QLC SSD、SmartSSD和256GB 3DS RDIMM等技术突破

百家作者：闪存市场 2018-10-18 12:09:59

作为全球半导体技术的领导者，三星在日前举行的三星技术日公布了其在半导体领域的最新突破：包括晶圆代工、NAND Flash、SSD以及DRAM的下一代技术。这些发展标志着三星半导体业务迈出了一大步：

▇ 三星代工业务7nm EUV工艺节点在功率，性能和能效方面取得了重大进展；

▇ SmartSSD是一种现场可编程门阵列（FPGA）SSD，可加速数据处理以及摆脱服务器CPU限制；

▇ QLC-SSD适用于企业和数据中心，每个单元的存储容量比TLC-SSD多33％，可在提高存储空间的同时优化成本（TCO）；

▇ 256GB 3DS RDIMM基于10nm 16Gb DDR4 DRAM，可提供更高的性能和更低的功耗。

三星半导体公司总裁JS Choi表示：“三星的技术领先地位和产品广度是无与伦比的，目前三星7nm EUV已投入量产。此外，SmartSSD和256GB 3DS RDIMM的发布代表了三星在性能和容量方面的突破。三星在半导体领域的这些突破将为下一代数据中心、高性能计算（HPC），企业级应用、人工智能（AI）及新兴应用提供强大动力。”

三星7nm LPP（Low Power Plus）EUV工艺节点的量产代表了半导体制造的一个重要里程碑。对比10nm FinFET，三星7nm LPP可实现能效提升40%、性能增加20%、功耗降低最多50%。7nm LPP工艺的投产展示了三星代工业务的技术路线图演变，也为未来3nm工艺奠定了基础。

三星通过新的SmartSSD， QLC SSD，256GB 3DS RDIMM以及高带宽内存HBM2等产品，为最先进的无服务器计算供应商提供支持。通过加速数据处理，摆脱服务器CPU限制并降低电力需求，这些产品将帮助数据中心运营商在控制成本的同时以更快的速度进行扩展。

SmartSSD通过将智能推向数据所在的位置来提高速度和效率，并降低运营成本。传统上，处理数据的移动导致延迟和能量消耗增加，同时降低了效率。SmartSSD通过将FPGA加速器集成到SSD单元中来克服这些问题。这样可以摆脱服务器CPU限制，从而加快数据处理速度。因此，SmartSSD具有更高的处理性能，更多的虚拟机（VM）以及可扩展的性能，更好的重复数据删除和压缩，更低的功耗和更少每个系统的CPU。

针对未来数据中心应用，三星还将推出业界领先的Key Value（KV）-SSD和Z-SSD。KV-SSD可消除块存储效率低下，并降低延迟，允许数据中心性能在CPU架构最大化时均匀扩展。三星下一代Z-SSD将是业界有史以来最快闪存产品，具有双端口高可用性，超低延迟和U.2外形，旨在满足企业客户的新兴需求。

三星新解决方案不仅能够实现更快的速度和更高的性能，还能提高企业客户的效率。在当日展出的企业级产品D1Y 8Gb DDR4服务器DRAM，采用最先进的DRAM工艺，可降低功耗。三星的256GB 3DS RDIMM还有助于提高企业效率，支持内存密集型服务器，最高容量可达16TB。8GB Aquabolt可提供目前市场上基于DRAM的内存解决方案的最快数据传输速度和最高性能。

三星全面的产品组合采用最先进的解决方案，为数据处理速度，容量，带宽和节能设立了新标准。通过利用此类解决方案，数据中心，企业应用，超大规模和新兴技术平台能够根据需求配置产品解决方案，并开发更先进的新技术产品，如5G，AI，企业和超大规模数据中心，汽车，网络应用等。

三星将继续推动半导体技术创新，例如基于单一结构的第六代V-NAND，或采用“1-stack技术”，以及采用EUV生产低于10nm的DRAM，实现超高密度和高性能，继续推动未来半导体技术的发展。

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