NAND Flash跌幅逾5成,南亚科:DRAM不会重演剧跌历史

百家 作者:闪存市场 2018-10-17 11:38:33


DRAM与NAND Flash价格在2018年下半年双双走跌,但截至第4季初,NAND Flash价格指数已累积下滑高达57%,而DRAM价格跌势和缓,然而市场弥漫观望气氛,DRAM供应商相继延缓扩产,展望未来,南亚科技认为,整体市场需求并不悲观,预估2019年DRAM价格并不会重回过去价格急剧下跌的历史,但仍会季节性调节降价,估计将缓跌约1~2个季度。


存储器产业市况在经过两年左右的荣景后,2018年以来NAND Flash市场价格波动剧烈,尤其是2018年原厂不断扩大64层/72层3D NAND产出量,包括三星、东芝/西部资料、美光/英特尔等大厂3D NAND占比已达到80%以上,但次级品流窜也打乱市场秩序,加剧整体产能过剩竞争,即使在第3季传统旺季也未能扭转NAND Flash价格下滑的趋势,中国闪存市场ChinaFlashMarket指出,目前NAND Flash每GB价格下探至0.1美元,截至2018年10月的累计跌幅已逾5成。


尽管DRAM供应商产能扩充相对缓慢,但第3季起供应商也开始增加投片量,并从第4季起~2019年第1季新增产能逐步开出,对整体产业供给造成影响,另一方面,受到中美贸易战关税以及CPU短缺影响,第4季拉货动能明显趋缓,尤其是PC市场受到CPU缺货影响冲击效应最大,而DRAM次级品也开始影响现货市场价格,导致短期市场价格备受压力。


南亚科技总经理李培瑛表示,2018年第4季整体供需仍维持稳定,包括服务器、手机市场还是很健康,消费性电子的需求也不差,仅有PC市场出现DRAM供过于求的情况。


李培瑛指出,虽然市场需求相对保守,但第4季起供应商开始延缓产能扩充及资本支出,由于DRAM供应商端仍理性控制产出,加上需求前景并不悲观,预期2019年虽有季节性变化,但应不会急遽跌价的问题,单季跌幅可能不会超过双位数,因此2019年DRAM价格将呈现合理的调整范围内,持续缓和下跌约1~2季度。


李培瑛认为,2019年影响市场的关键将在于国际局势,尤其是中美贸易战是未知数,受到关税增加影响,位于大陆的组装厂客户将会受到直接或间接受到影响,并需采取一些因应对策,例如将组装产线移到其它国家,因此需要调整的过渡期。


李培瑛进一步表示,随着手机双镜头已市场主流,后续规格以多镜头为主,手机产品差异化主要依赖存储器规格升级,可以看到虽然手机出货量没有成长,不过搭载的存储器容量有提升,Android旗舰机种主流为6GB~8GB,Apple OLED新机则导入4GB。


在服务器的部分,云端服务与各产业对服务器需求持续发酵,大陆市场服务器需求年增23%、北美4大数据中心需求稳定成长,全球服务器年增约11%,平均存储器容量持续增加,服务器用存储器总需求年增逾3成。


至于消费型电子终端产品,电视、机上盒、智能音响与SSD仍为重点市场区块,且新一代的智能手表,提供心电图功能,预期将带动未来穿戴设备的成长。


从DRAM中长期发展而言,李培瑛认为,未来全球电子产品将走向智能化,存储器势必成为最关键的零组件,在整体需求并没有看到太悲观的原因,国际局势的变化将是最重要的影响关键。


来源:DIGITIMES




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