【简讯】vivo宣布搭载骁龙710的新机Z3；《绝地求生》最严反外挂手段确认…

距离10月16日伦敦发布会仅剩4天，近日华为Mate 20系列谍照频频曝光。日前，爆料大神@evleaks 曝光了华为Mate 20、Mate 20 Pro以及全新Watch GT手表的“全家福”渲染图，完整展示了新机的细节。

图中蓝色款新机为华为Mate 20（背壳有一些纹理），正面“水滴屏”+背面后置指纹，后置徕卡方形三摄；华为Mate 20 Pro“刘海屏”设计，支持屏幕指纹以及3D结构光人脸识别，Mate 20 Pro还有全新配色——绿松石色。

此外，华为Mate 20的电源键为红色，而Mate 20 Pro为成橙色。另外，从图中对比来看，Mate 20 Pro的方形三摄整体尺寸较Mate 20更大， 二者在拍照上可能有一些差异。据悉，Mate 20 Pro将配备4000万+200万+800万像素三镜头，支持5倍光学变焦。

10月16日于Mate 20系列一同首发的还有全新的Watch GT手表，有爆料称为了改善续航，Watch GT采用了双核心低功耗架构，以及智能节电算法，将智能手表的续航做到2周。

在《绝地求生》中，作弊玩家的存在一直都是一个很大的问题，他们破坏了许多玩家的游戏体验。虽然在过去几个月里，蓝洞加强了反作弊措施，但不久后那些作弊者将会受到更严厉的惩罚。

在《绝地求生》的官方论坛上，确认了从11月10日开始，将对那些使用外挂的作弊者处以硬件封锁（hardware bans）的惩罚。一般来说，硬件封锁指的是将设备加入黑名单，即使创建新号也无法进入游戏。

部分公告内容如下：

《绝地求生》在此前的PC更新中，引入了新的反作弊举措，改善了游戏环境，作为继续打击作弊手段的一部分，我们在公司内部开发了一种新的反作弊系统，经过在测试服务器上的大量使用后，现已加入正式服务器中。

当您启动客户端时，可能会看到一个新的弹出窗口，为了帮助我们改进反作弊手段，希望您能选择“启用反作弊”的选项。

10月12日，vivo官方宣布，将于10月17日正式发布新机Z3，主打“性能实力派”。作为Z1的继任者，vivo Z3最大的惊喜来自于处理器——骁龙710，同时支持vivo Dual-Turbo双涡轮加速技术。

要知道，vivo X23使用的还是骁龙670处理器，这一次vivo越级将骁龙710配在了vivo Z3身上，彰显了对这款新品的重视，以及“搅局”线上2000元档的决心。

从此前曝光的消息来看，vivo Z3将采用6.3英寸水滴屏，后置1600万+200万双摄，支持耳机接口和背面指纹识别，渐变色外观设计，内置3240mAh容量电池。

售价方面，vivo Z3预计主打2000元以下价位。

NVIDIA RTX 2070显卡定于本月17日上市，在发售前，其性能成绩提前曝光。

TUM APISAK发布了RTX 2070在3DMark TimeSpy中（2K分辨率）的跑分，基于索泰的一款非公版，频率达到了1950MHz，最终得到8151分。这里的8151分是结合了i7-8700K后的系统总分。在同一套平台中，RTX 2080 Ti（1920MHz）是10850分，RTX 2080是9266分，也就是RTX 2070平台分别落后了25%和15%。

结合目前RTX 2080(Ti)对比GTX 1080(Ti)的表现来看，RTX 2070应该介于GTX 1080和GTX 1080 Ti之间。

规格方面，RTX 2070基于TU106核心，12nm工艺，内建2304个CUDA，主频1410MHz，加速频率1620MHz（FE版1710MHz），8GB GDDR6显存，256bit位宽，总带宽448GB/s，单8pin供电，功耗175W（FE版185W）。RTX 2070 FE版的定价是599美元，国行预计是4899元。

继昨日正式官宣联想S5 Pro之后，联想集团副总裁，联想手机“掌柜”常程又发布了一张预热海报，揭示了这款机型的另一个重要卖点——光学变焦。预热海报内特别注明了：“没有无损光学变焦，谈什么青春无敌”，这透露了联想S5 Pro的2个特性，一是将会搭载后置双摄，二是将会支持光学变焦功能。

再加上昨日预告的偶像级自拍功能，可见此次联想S5 Pro的前后摄像头将得到大升级。

值得一提的是，海报特别点名小米8青春版，预示着联想S5 Pro的定位将会与小米8青春版处在同一级别，其定价将会在1399元左右。

今年3月份，联想发布了全面屏新机S5，采用了5.7英寸FHD+全面屏，屏幕纵横比为18:9，搭载高通骁龙625处理器，最高配备4GB内存+128GB存储，电池容量为3000mAh，配备1300万像素双摄像头，999元起售。

今年皇帝版手机容量提升到了512GB，锤子科技的坚果R1还首发了1TB存储，中低端手机容量也达到了64GB，128GB容量的手机也比比皆是。除了容量进步，今年的NAND闪存还会进入96层堆栈时代，西数日前宣布推出全球首个96层堆栈的UFS 2.1闪存iNAND MC EU321。

西数的闪存源自被收购的闪迪，后者是跟东芝共同投资生产NAND闪存的，9月底双方投资的四日市Fab 6工厂启用，总投资5000亿日元，落成后主要生产新一代3D NAND闪存，堆栈层数可达96层。

西数官方公告中没有提到iNAND MC EU321是TLC闪存还是QLC闪存，考虑到最大容量才256GB以及QLC闪存的进度，iNAND MC EU321使用TLC类型的可能性还是很高的。

iNAND MC EU321容量涵盖32GB、64GB、128GB及256GB，UFS 2.1 HS-G3标准，连续读取可达800MB/s，连续写入550MB/s，随机写入52K IOPS，随机读取50K IOPS，写入性能号称比前代提升10%。