【推仔说新闻】长江存储压轴出场 介绍3D NAND架构Xtacking

不知道还有没有小伙伴们记得，前几天我们聊过SK海力士推出的4D闪存，当时和大家说过，如果有机会就给大家介绍一下长江储存，毕竟都是在Flash Memory Summit的Keynote上面做了报告，而且长江存储还是压轴的。

另外提一句，在上次SK海力士的新闻中，有位同学问我I/O接口速度是什么，在这里简单的说一下，I/O就是input（输入）/output（输出），对闪存芯片来说I/O接口速度就是引脚带宽。

下面回到正文，在Keynote上长江存储称，数据产生的能力和贮存能力的增长是严重不对等的，2020年左右将产生47ZB（1ZB=1024EB=1024^2PB），而到了2025年这个数字会更多，达到162ZB。虽然多数数据可能是垃圾，但存储公司没有选择性，其唯一目标就是尽可能多地保存下来。

之后长江存储总结了对于NAND闪存的三大挑战，分别为：I/O接口速度、容量密度和上市时机，而就在这次的会议上，长江储存提出了新的架构Xtacking，其首要目标便是三大挑战中的第一条，I/O接口速度。

就目前来说，NAND闪存主要沿用两种I/O接口标准，第一种是Intel、索尼、SK海力士、群联、西数、美光主推的ONFi，I/O接口速度最大1.2Gbps。第二种是三星、东芝主推的Toggle DDR，I/O速度最高1.4Gbps。

而这次长江存储推出的Xtacking，将I/O接口的速度提升到了3Gbps，速度与DRAM DDR4有来有回了。

据长江存储CEO杨士宁博士介绍，Xtacking，是在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。在另一片晶圆上被独立加工存储单元。当两片晶圆各自完工后，Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互联通道)将二者键合接通电路，而且成本增加的并不多。

长江储存称，传统3D NAND架构中，外围电路约占芯片面积的20~30%，降低了芯片的存储密度。并且随着3D NAND技术堆叠的层数越来越高，外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上。Xtacking技术将外围电路置于存储单元之上，从而实现比传统3D NAND更高的存储密度。

同时Xtacking这项技术的优点不仅仅只局限在I/O速度上。官方称使用Xtacking架构，产品的开发时间可缩短三个月，生产周期可缩短20%。截至目前长江储存已成功将Xtacking技术应用于其第二代3D NAND产品的开发最高使用14nm工艺，并预计于2019年进入量产。

 

在推仔看来，长江储存这次算是彻彻底底给国内玩家以及强心针，还记得前段时间我们的国产颗粒还在使用着32层堆叠之时，三星等企业不仅仅通过价格松绑，来限制国产颗粒的利润，在另一边继续推出新技术，96堆叠也就是前段时候刚出来的，这次的Xtacking说明了我们还是在这个领域具备着十足的研发能力的，现在大家只要静静等待便好了。

顺带一提，这次长江存储的Xtacking与SK海力士的报告中纷纷把目光着眼于外围电路，这是不是也意味着，对于目前的颗粒来说，电路设计确实是一个瓶颈呢。

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