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内存芯片产值2018年将破1000亿美元，中国开始起航！

百家作者：占豪 2018-08-11 21:21:14

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这两年DRAM内存、NAND闪存行业的疯狂激荡大家都看在眼里。内存尤其夸张，价格持续飙升。闪存方面倒是基本稳定了，但市场需求持续异常旺盛。两大行业空前火热，从业者自然也是赚得盆满钵满。根据市调机构IC Insight的最新报告，2018年全球前DRAM内存芯片产业总价值预计将达1016亿美元，年增幅高达39％，继续稳居第一，占全年整个IC行业的多达24％。

同时，这也将是历史上第一次，单个领域的IC产业价值突破1000亿美元大关。

NAND闪存行业产值有望达到626亿美元，与内存行业合计428亿美元，占全产业的38％之多。

这样的数字背后，最兴奋的当然是韩国企业，尤其是三星电子，毕竟它是DRAM内存、NAND闪存两大行业的双料老大，占据份额分别有45％、37％之多，SK海力士则分别占28％、10％。

换言之，仅仅是韩国两大巨头，就称霸了几乎四分之三的DRAM内存市场、几乎一半的NAND闪存市场。

标准PC和服务器处理器一直是行业龙头，但这两年完全被内存、闪存碾压，年产值预计只有508亿美元，年增幅仅5％。即便如此，这也是该行业连续两年创造新高了。之后是计算芯片、无线通信芯片，分别为276、160亿美元左右。

占豪简评：中国国家存储器基地位于武汉光谷。存储器芯片市场是全球垄断最为严重的芯片细分市场，DRAM和NANDFLASH芯片市场长期被韩国美日垄断，尤其以韩国三星、SKHynix两家为首，共占据了DRAM市场和NANDFLASH市场70%和50%的市场份额。中国于2013年发布了自主研发的55纳米相变存储芯片，成为继美国和韩国后，全球第三个掌握相变存储技术的国家。

现在，中国国家存储基地的一期工程已经封顶，今年将进行中小规模的试产和量产，争取在2019年进行大规模的生产，填补中国在存储产业领域的空白。一期工程量产规模将达到30万片/月的产能。年产值超过100亿美元。可以预见，随着我国存储芯片产业的发展，我国在存储芯片领域将有可能复制京东方模式。除了长江存储外，我国还有合肥长鑫、福建晋华两家存储器厂商，从2018年开始，它们都要动真格了。

预计，未来两年手机或用上国产存储芯片