【推仔说新闻】SK海力士宣布推出业内首款4D闪存

Flash Memory Summit作为闪存业内的重要会议之一，目前正在美国如火如荼的举行中，而SK海力士作为闪存业内的重要一份子，自然不会少了它。 

在会议的Keynote环节，SK海力士先介绍了3D NAND的两种技术路线，CTF（电荷捕获型）比Floating Gate（浮栅型）存储单元面积更小、速度更快、更耐用。

接下来，SK海力士宣布推出4D闪存，从现场给出的技术演示来看，4D闪存的外围电路在存储单元下方，可以有效地减小芯片面积、缩短处理工时、降低成本。

参数方面，目前第一款4D闪存型号为V5 512Gb TLC，采用96层堆叠、I/O接口速度1.2Gbps（ONFi 4.1标准）、面积13平方毫米，今年第四季度出样。

BGA封装的4D TLC颗粒的可以做到1Tb（128GB），模组最大2TB，将于2019年上半年出样。SK海力士表示QLC的V5 4D芯片，将使用96层堆叠，单Die容量1Tb，将于2019年下半年出样。

性能方面，V5 4D芯片面积相较于V4 3D减小20%、读速提升30%、写速提升25%。

在推仔看来，SK海力士的这个4D闪存，更多的还是一个噱头罢了，毕竟在传统意义上的4D更多指的还是将x、y、z所形成的空间加上时间之后形成的时空，难道说这次SK海力士所说的4D其中有一条意思就是你们现在就能用到未来性能的产品么？

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