下一代存储技术要来了？LPDDR5、UFS 3.0简析

相较于处理器芯片，存储性能这些年在智能手机上的重要性也开始逐渐凸显。

据Android Authority总结，LPDDR5 RAM、UFS 3.0 ROM和SD Express存储卡将会成为新一轮旗舰智能机将要占领的技术之制高点。

具体来说，LPDDR5的速度将达到6400Mbps，比LPDDR4翻番，比LPDDR4X（4266Mbps）提升50%。按照IC厂商Synopsys透露的，LPDDR5将引入WCK差分时钟，类似于GDDR5，从而在不增加引脚的情况下提升频率。

此外，LPDDR5还将引入Link ECC，具备从传输错误中恢复数据的能力。

当然，因为手机、Windows平板将主要采纳，LPDD5在降低功耗方面也做了更细致的工作，虽然电压相较于LPDDR4X未变，但是闲置状态下的电流将减少40%。

有消息称，三星可能会在今年下半年宣布LPDDR5开始制造的消息，拭目以待吧。

对比之下，UFS 3.0的标准已经由JDEC正式敲定，最大速度2900MB/s，对比UFS 2.1的1200MB/s提升了1倍。

三星已经启动了面向汽车领域的UFS 3.0闪存芯片生产，智能机/平板有望在2019年开始逐渐普及，三星S10开始？

至于SD Express标准的存储卡，最大容量（SDUC卡）提升到128TB，速度更是可达到 985MB/s。

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