三星宣布陆续进军5nm、4nm、3nm工艺

在美国举行的三星工艺论坛SFF 2018 USA之上，三星宣布将连续进军5nm、4nm、3nm工艺。

 7LPP (7nm Low Power Plus)

 

7LPP将会是三星首次应用EUV极紫外光刻的工艺，并预计今年下半年投产。三星预计将于明年上半年完成关键IP的研发。

 

5LPE (5nm Low Power Early)

 

这个工艺是在7LPP工艺的基础上继续创新改进，据三星所说，这项工艺可以进一步缩小芯片核心面积，以带来超低功耗。

 

4LPE/LPP (4nm Low Power Early/Plus)

 

这个4nm的工艺是三星最后一次应用高度成熟，且经过行业验证的技术，并且结合5LPE工艺的成熟技术，再次缩小芯片面积，提高性能，更为关键的是，该工艺可以在保证良品率的前提下快速量产，方便客户升级。

 

3GAAE/GAAP (3nm Gate-All-Around Early/Plus)

 

最后一个就是三星的3nm工艺了，该工艺使用了Gate-All-Around，相比于现在的FinFET Tri-Gate三栅极设计，这可以重新设计晶体管底层结构，克服当前技术的物理、性能极限。该项技术被三星称为MBCFET(多桥通道场效应管)，据三星所说，目前正在使用纳米层设备开发该技术中。

 

三星称自己的工艺并不仅用来生产低功耗设备，在高性能领域，比如大规模数据中心、AI人工智能、ML机器学习等，7LPP及之后工艺都足够优良，并有一整套平台解决方案。

 新闻就是这个样子，下面说说推仔自己的看法，不知道大家是否还记得前段时间，台积电曾经首次透露的自己5nm的工艺，并表示，虽然工艺提升了但是频率只提升了15%。

其实硬件圈子的命名规则都是被台积电和三星搞坏的，Intel的工艺说多少就是多少，反观剩下两家，领先一代工艺不见得比Intel好，这本身就值得人们思考，希望这两家好好改进自己技术，别成天想这些有的没的，啥时候同样工艺能和Intel掰掰手腕才是正确的发展方向。

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