台积电公开5nm工艺 频率提升15%

Intel 10nm工艺根据各种消息来看肯定是难产了，而就目前来开台积电和三星已经开始量产7nm，自然作为技术的储备5nm也肯定提上了日程，近日台积电公开了5nm的部分关键指标。

 

明年，台积电的第二代7nm工艺会在部分非关键层面上首次尝试使用EVU极紫外光刻系统，工艺节点从CLN7FF升级为CLN7FF+，号称晶体管密度可因此增加20％，如果选择了同样的晶体管密度和频率的话，功耗可降低10％。

 

台积电5nm(CLN5)将继续使用荷兰ASML Twinscan NXE: 3400 EUV光刻机系统，扩大EUV的使用范围，晶体管密度相比于第一代7nm工艺可增加80％，相比第二代增加50％。

虽然密度加了这么高，但是据台积电所说，目前的工艺带来的实际频率提升只有15％，在保证密度和频率不变的情况下，功耗也只能降低20％，这还仅仅适合第一代7nm工艺的对比。

 

但台积电还同时推出了，极低阈值电压ELTV技术，号称能将频率提升幅度增加到25％。

 

就目前来看EUV光刻掩膜材料仍然处于开发阶段，目前极紫外线的通透率只有83％。

 设备方面，台积电将为5nm开设一座新的晶圆厂，引入多台新光刻机，只是目前EUV光刻机的日常功率只有145W，还需要进一步改进。

 

在推仔看来，就这次台积电公开出来的数据来看，新一代的5nm工艺并不是很乐观，提升太小了，也不知道是不是因为台积电自己在工艺命名方面太过随意，随随便便就推进了一步，导致大家觉得性能提升并不符合预期。

 

 

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