【简讯】红米S2正式宣布；中芯国际14nm 2019年量产……

去年，AMD和Intel纷纷在台北电脑展上为外界端出顶级盛宴，线程撕裂者和Core X/i9同台亮相。今年，双雄将继续参展，从目前泄露的情况来看，第二代的线程撕裂者以及8核Coffee Lake桌面CPU。

日前，德国IT商Bluechip关于Intel/AMD芯片组的2018更新计划在网上曝光，30分钟的PPT演示中进一步确认了相关信息。

AMD方面，Z490主板定于6月推出，B450主板定于7月底发布。Z490纸面现有的信息是，它比X470多出几条PCIe通道，作为AM4接口的高端产品。B450取代的应该是B350，是颇受欢迎的AM4接口中端芯片组。

不过，根据路线图，二代线程撕裂者（基于12nm Zen+架构）完成全平台部署需要等到8月份了，也就是说“X499（X399 Refresh）”要等等了。另外，FM2+接口的A68主板定于秋季之前退役。

Intel这边定于三季度推出的Z90主板，其中基于8核心的主流级桌面CPU将在6月份外出工程散片。

5月2日，小米官方发布新品预告，预热海报中一个大大的“S”让网友纷纷猜测，会不会是小米新一代自研芯片澎湃S2，还是小米S系列新机？今天，官方揭晓了最终答案——全新的红米“S”系列手机，红米S2。

据悉，小米将于5月10日在苏宁易购南京总部举办红米S2新品发布会，继续由刘昊然代言，从发布会的地点来看，看来两家将宣布深度合作。

有关红米S2的消息此前已经曝光。有网友在国外的小米之家拍到了这款新机，其采用和小米6X类似的外观设计，包括5.99英寸18:9全面屏（720p+）、背后竖排双摄+后置指纹，机身为金属材质。

据悉，新机将搭载骁龙625处理器，有2GB、3GB以及4GB三个内存版本可选，前置500万像素自拍镜头、后置1200万像素+500万像素双摄，支持人像模式、人脸解锁，内置3080mAh电池。预装基于Android 8.1的MIUI 9。

由此来看，红米S2定位入门全面屏手机，参照配置依然会冲击千元以下价位，主打线下。

在OLED屏幕上，三星和LG目前算是这个行业的领导者，一个是霸占了中小尺寸OLED屏，而另外一个则是高端大屏，而国产厂商一直在拼命追赶着它们。

随着OLED屏幕的发展和越来越多使用，接下来它将突破完全把LCD屏压在身下，引领整个行业的发展。根据市调机构Fuji Chimera Research的统计报告显示，2022年全球AMOLED面板市场规模将达413.6亿美元，这个数字将达到2016年的三倍。

报告中还指出，2019年OLED面板届时市场规模将达263亿美元，彻底超越LCD屏幕市场。

目前国产厂商咋OLED屏幕上的发展非常迅速，其中据说京东方已经进入了苹果OLED屏幕的供应体系，而苹果为了削弱三星的范围，开始在iPhone的OLED屏供应上，拉入更多的供应商，除了京东方外，LG也是主要扶持厂商。

据悉，2022年后国产OLED屏幕市场规模有望超越三星、LG等韩系厂商。

从去年底的GTX 2080传到今年初的GTX 1180，不少人翘首以盼的NVIDIA全新显卡一直是密不透风。

近日，一位技嘉笔记本的官方客服人员在OverclockersUK透露，Aero 15X笔记本会在年底之前更新到下一代移动GPU平台。

Aero 15X是技嘉去年推出的Max-Q平台笔记本，也就是采用的NV主导的轻薄游戏本集成化设计，GPU核心方面也做了相应优化。外媒由此推测，新一代GeForce移动平台的显卡需要等到年底才能更新了。

虽然说桌面和移动平台独显是会错峰更新，可这证明，桌面显卡肯定不会特别早了。

就目前释放出来的信息看，6月的台北电脑展基本没戏，最快也许就是8月份的科隆游戏展了。

DDR4内存目前是绝对主流，不断被深入挖潜，频率已经突破5GHz，不过下一代DDR5也已经蠢蠢欲动了。Cadence公司今天就宣布了DDR5的全新进展，无论工艺还是频率都相当领先。

目前，JEDEC标准组织正在研究下一代DDR5内存规范，已经有了初步版本，Cadence此番拿出的就是面向新规范的第一个DDR5 IP物理层接口芯片。

该测试芯片采用台积电7nm工艺制造，数据率可达4400MT/s，也就是频率高达4400MHz，相比目前商用最快的DDR4-3200快了多达37.5％。

为了支持Cadence DDR5 PHY物理层的验证和协作，美光也向其提供了DDR5内存初步版本的工程原型。

在此之前，Rambus也曾经提到过7nm工艺下的DDR5 IP，并预计DDR5内存要到2020年才会商用，首批自然还是服务器和数据中心，消费级就更靠后了。

AMD曾保证说现在的AM4接口会一直支持到2020年，到时候极可能就会更换新接口，加入对DDR5的支持。

日前，北京日报报道了中芯国际，提到了中芯国际在晶圆厂、半导体装备、制造工艺等方面的一些进展。

除了常听到的光刻机之外，还有离子蚀刻机、离子注入机、光学抛光机、快速退火设备等等，在这方面中芯国际也积极支持国产装备，过去七年中国产半导体装备的占有率从1%提高到了15%。

同时，中芯国际还在不断缩小与国外先进工艺的差距，按照原文的说法，中国集成电路先进制造工艺已经从之前落后国际4到5代缩小到了1-2代的差距，中芯国际的14nm工艺预计会在2019年上半年量产。

对于国产14nm工艺，这是2015年比利时国王访华时中比双方签订的一系列合作之一，当时中芯国际、华为以及高通联合IMCE签署了合作协议，研发14nm FinFET制造工艺，预定目标是2020年之前量产，现在来看进度还是OK的。

在14nm量产之后，中国半导体工艺与世界先进水平的差距确实大大缩小了，28nm、14nm以及未来的7nm都是高性能节点，会长期存在，所以只要能量产出来，对发展国产高性能芯片都是有益的。